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WO3的气敏特性研究 总被引:5,自引:2,他引:5
通过实验,结合气敏元件分析方法,对WO3气敏元件的气敏特性、响应与恢复时间、电阻特性、初期驰豫特性进行了系统分析。为进一步开发研制WO3气敏元件提供了可靠的数据。 相似文献
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笔者研究文献《改进的方向线偏移法测基坑水平位移》后,发现除了公式(1),所有公式都是错误的(尽管公式(6)形式正确,但由于m△p计算错误,因而公式(6)实质仍是错误的),算例也完全错误。为此,有必要推导出正确的公式,并且补充条件后对算例作出正确的解答,从而为方向线偏移法测基坑水平位移提供正确的理论指导。 相似文献
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简要介绍了利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的非整体膜结构的敏感硅芯片,较详细地报告了用此硅芯片封装成的加速度敏感元件,最后介绍这种加速度计的优良性能。 相似文献
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Ni3Al的高温异常流变行为与超级部分位错的交滑移密切相关,本文利用第一性原理计算探究Re在Ni3Al晶体中的占位倾向及Re效应对Ni3Al中位错形核与运动的影响。由Re占据Ni3Al不同晶格点位所对应的点缺陷形成焓及能量因子,可知单个Re原子在Ni3Al中优先占据Al位,两个Re原子优先占据Al-Al位。通过对Ni3Al晶体和滑移系广义堆垛层错能的计算,发现Re原子占据Al位能促进超级部分位错的交滑移。两个Re原子垂直滑移方向排列比沿着滑移方向排列能有效阻碍位错形核与运动;两个Re原子排布在相邻原子面上比排列在同一个原子面上时会进一步促进螺位错的交滑移。分析缺陷和间的关联能对Ni3Al晶体超级部分位错交滑移的影响,结果表明缺陷和间较弱的交互作用有利于改善高温时Ni3Al的异常流变行为。Re原子优先占据Al位置提高Ni3Al的屈服强度能够归功于间的弱交互作用。 相似文献
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