热喷涂制备ZnAl涂层防腐性能研究

以锌粉和铝粉为原料,采用热喷涂工艺在A3钢板上制备TJPTZA1、TJPTZA2、TJPTZA3和TJPTZA4涂层.研究了不同涂层以及纯锌、纯铝抵抗海水的腐蚀能力.采用盐雾分析法分析不同涂层的耐腐蚀程度,采用高倍显微镜观察不同腐蚀时间的薄膜表面形貌.结果表明:TJPTZA2、TJPTZA3的耐腐蚀性好于Al和Zn,认为是锌铝合金热喷涂层中的锌铝原子相互作用减缓了氯离子等物质的腐蚀.     

锆合金辐照蠕变和生长的宏介观模型研究进展

锆合金作为核反应堆堆芯的主要结构材料之一,在服役过程中会发生辐照蠕变和生长行为,严重影响其使用可靠性.预测锆合金的辐照蠕变和生长是保障反应堆安全运行的关键.本文聚焦于两类锆合金构件,包括压水堆用锆合金包壳管及重水堆用Zr-2.5Nb压力管,分别从宏介观尺度详细综述了其辐照变形预测模型.针对适用于包壳管的宏观经验模型及介...     

基于FPGA的宽带OFDM系统的设计与实现

介绍了一种基于FPGA的宽带OFDM系统的设计实现,分析了OFDM调制器和OFDM解调器中的关键技术,重点给出了FFT/IFFT运算单元的设计实现方法,并对FPGA的OFDM系统实现进行了描述。最后利用Xilinx的Spartan-3系列FPGA器件实现了整个OFDM系统设计。通过测试,论证了方案的可行性。     

CANDU压力管用Zr-2.5Nb合金热挤压的数值模拟研究

利用数值模拟技术对CANDU压力管用Zr-2.5Nb合金的热挤压工艺进行了研究.结果 表明,Zr-2.5Nb合金的热挤压应采用锥形模具,且模角应为90°,以获得较小的峰值挤压力.在坯料加热温度为750～820℃,受摩擦及塑性变形影响,合金坯料局部温度将超过β转变温度.在过高的加热挤压温度下,挤压管坯由长片状α晶粒的砖砌...     

快速真空断路器分闸速度对短路电流开断燃弧时间窗口的影响

快速真空断路器由于其具有分闸时间短、分散性低等优势,便于电力系统短路故障选相快速开断的实现。然而,现阶段关于快速真空断路器短路电流可靠开断燃弧时间区间的研究仍属空白。文中目标旨在研究快速真空断路器分闸速度对其可靠开断的燃弧时间区间的影响。实验采用直径为58 mm、材料为CuCr50的平板触头。快速真空断路器分闸速度分别设置为2.5、3.5、4.5 m/s。实验依据国家标准GB/T 1984—2014关于40.5 kV T100s(b)试验方式进行。结果显示,随着快速真空断路器分闸速度的提升,其可靠开断的最短燃弧时间和最长燃弧时间呈降低趋势。研究结果可为快速真空断路器短路电流可靠选相开断策略的制定提供理论依据和技术支撑。     

Finemet合金Fe73．5Si13．5B9Cu1Nb3在较低退火温度条件下Hc，Br，Ps的比较

通过比较Finemet金属非晶薄带,在较低退火温度（450℃、500℃、530℃）下矫顽力Hc、剩磁Br以及损耗Ps的差异,得出关于其软磁性能优劣的结论,力图阐明退火温度等对Finemet金属晶化过程及软磁性能的影响。利用线性拟合的方法,得出了不同频率下关系式Ps=aT＋b当中的常数a、b,进一步说明了Finemet金属薄带在高频时的优异软磁性能。     

矿业权出让收益市场基准价区域差异研究

按照矿产资源权益金制度改革要求,自2017年以来,全国各地陆续发布了矿业权出让收益市场基准价。然而,在实践过程中,矿业权出让收益市场基准价区域差距较大的现象。以煤、铁、铜、铅、锌、金等重点矿种为例,比较了不同计征基础、分类调整系数的基准价,以及采矿权基准价与资源税的区域差异性。结果表明:各地方基于资源禀赋差异、经济发展水平和产业政策导向等因素考虑,导致基准价存在一定程度的区域差距,因此,应制定矿业权出让收益市场基准价核定指南,规范并指导地方完善有关基准价制定。同时,为落实党中央、国务院改革精神,维护国家所有者权益,应建立反映矿产品价格波动、矿业权市场变化的全国矿业权市场基准价动态监测和调整机制。     

ARB工艺下Al/Zn多层复合材料界面变化的研究

累积复合轧制(Accumulative Roll-Bonding,ARB)工艺作为一种大塑性变形工艺,近期在制备金属基多层复合材料方面受到关注.通过ARB工艺制备Al/Zn多层复合材料,重点观察Al/Zn多层复合材料界面间的变化规律.在扫描电子显微镜(SEM)下,可以明显地观察到在Al/Zn界面处扩散层的存在,说明在ARB工艺状态下,不同层之间存在扩散作用,但是X射线衍射(XRD)结果无法分辨材料内部结构.通过透射电子显微镜(TEM)观察第3周期ARB态Al/Zn多层复合材料截面,可以看到,在Al/Zn多层复合材料层间,存在4种形貌的组织,参考Al-Zn合金的时效析出过程可知,在ARB工艺过程中,Al过固溶体存在连续脱溶和非连续脱溶两种路径,其脱溶路径的不同主要与扩散到Al基体中的Zn浓度有关.     

基于SiC MOSFET的节能型软开关中频电源设计

设计并实现了一种基于碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的400 Hz航空地面节能型软开关中频电源,该系统由控制单元、驱动单元、整流器单元、双路有源软开关脉宽调制(PWM)变换器、采样单元、滤波单元及故障保护单元组成.开关器件选用全SiC MOSFET替代传统的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),并...     

磁控溅射Al-Fe-Sn 薄膜的电输运性能

在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少。 本文首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是与基底界面处的结构进行了表征。在此基础上,利用霍尔效应测试了解界面状态的变化对于霍尔载流子浓度及迁移率的影响。 我们实验的结果表明, 在退火的过程中,薄膜与下层基底之间通过扩散过程形成紧密接触,从而使得合金薄膜同时具有较高的载流子浓度以及载流子迁移率。最后,利用一个新提出的能带模型,解释所观察到的界面变化对于电导率的影响。