EFFECT OF IMPURITY Zr ON PHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS FeZrSiB ALLOYS

本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3％和4.5％。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。     

非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)合金的低温电阻率反常

用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值。电阻率极小值温度T_(min)随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值。在T_(min)温度以下,电阻率与温度关系符合-lnT规律。x=0.5—1.0的样品,电阻率与-lnT关系出现两个斜率。在T_(min)温度以上,约100K以下电阻率符合T~2规律,在约100K以上电阻率则按T~(3/2)规律变化。实验结果表明,约在9.5K和100K温区,电阻率与温度关系可近似表达为:ρ/ρ_(min)=ρ_0 AlnT BT~2。显现类Kondo型电阻极小。电阻率的T~2关系来源于电子-声子散射。     

MAGNETIC PROPERTY AND THERMOSTABILITY OF Fe-BASE AMORPHOUS ALLOYS WITH HIGH SATURATION MAGNETIZATION

非晶态Fe_80B_(20),Fe_(17.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_(1.36),Fe_(65.66)Co_(17.3)B_(15.84)Si_(1.2)和Fe_(6(?).92)Co_(17)B_(19.29)Si_(1.59)C_((?).(?))P_((?).(?))合金用单辊急冷法制备.测量了饱和磁化强度与温度的关系.得到0K时的原子磁矩(?)都在2.03—2.07μ_B之间.非晶态Fe_(80)B_(20)和Fe_(77.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_((?).(?))合金的室温饱和磁化强度σ_s(R.T.)和Curie温度Tc相近,而含Co样品的σ_s(R.T.)和T_c分别高于Fe_(80)B_(20)约6%和13%.由热磁、电阻率、差热分析和X射线衍射的测量结果分析了样品的晶化转变.含Co样品的晶化温度T_(cr)与Fe_(80)B_(20)相近,而Fe_(77.84)B_(16.81)Si_(3.49)C_(1.86)的T_(cr)高于Fe_(80)B_(20)约80K.用化学键、T_(cr)与e/α的关系以及晶化过程的复杂性讨论了影响高饱和非晶态合金稳定性的因素.     

间隙碳原子对（Er1—xSmx）2Fe17Cy化合物形成,结构与磁性的影响

用快淬方法制备了单相（Ｅｒ１－ｘＳｍｘ）２Ｆｅ１７ｃｙ（ｘ＝０．２，ｙ≤３．０；ｘ＝０．５，ｙ≤２．０）化合物，研究了它们的形成、结构、稳定性及内禀磁性。结果表明，它们在高温是稳定的，随碳含量的增加，晶体结构由六角的Ｔｈ２Ｎｉ１７型向菱方的Ｔｈ２Ｚｎ１７型转变。间隙碳原子的引入导致了单胞体积的膨胀、室温饱和磁化强度和Ｃｕｒｉｅｉ温度的增加。当ｙ≥１．０时，（Ｅｒ１－ｘＳｍｘ）２Ｆｅ１７Ｃｙ样品在室     

非晶态Fe_(90)Zr_(10)合金的磁性和晶化动力学

本文研究了非晶态Fe_(90)Zr_(10)合金的磁性和晶化动力学,得到样品的居里温度T_c=232K。每个Fe原子的平均磁矩μ_(Fe)=1.56μ_B,μ_(Fe)值明显偏低是由于样品中存在反铁磁排列的自旋团。低温下的磁化强度与温度的关系符合布洛赫的T~(3/2)定律,计算出样品的自旋波劲度系数D=35meV(?)~2,交换作用范围的平方平均值     

非晶态合金(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)的低温电阻率反常

在非晶态合金中,低温电阻率极小与极大值现象不仅在稀释合金中存在,而且在强铁磁性的非晶态合金中也普遍出现。我们在Fe-Cr-B,Fe-Mo-B及Fe-W-B系列中曾作了报道。本文将报道元素V对非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金低温电阻率的影响,并用类Kondo效应、RKKY相互作用和局部自旋涨落效应解释了不同温区的电阻率散射机制。一、实验非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08及0.1)采用单辊急冷法制备,带厚20—30μm,带宽约1mm。经x射线衍射结     

RESISTIVITY ANOMALY IN METALLIC GLASSES(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)

用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值。电阻率极小值温度T_(min)随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值。在T_(min)温度以下,电阻率与温度关系符合-lnT规律。x=0.5—1.0的样品,电阻率与-lnT关系出现两个斜率。在T_(min)温度以上,约100K以下电阻率符合T~2规律,在约100K以上电阻率则按T~(3/2)规律变化。实验结果表明,约在9.5K和100K温区,电阻率与温度关系可近似表达为:ρ/ρ_(min)=ρ_0+AlnT+BT~2。显现类Kondo型电阻极小。电阻率的T~2关系来源于电子-声子散射。     

成分和过渡金属对铁基非晶态合金晶化行为的影响

本文概要地总结了我们近年观测过的若干Fe-B基和Fe-Co-B-Si基非晶态合金的晶化行为,主要是成分对晶化温度T_(cr)和晶化激活能△E的影响.合金样品是宽1-2mm,厚30—50μm的液淬带.用差值扫描量热计(DSC)获得:(1)Fe-(100-x)B_x系的T_(cr)和△E都在x=16时出现最大值;(2)在所观测的几个合金系中凡过渡元素总含量的变化能使每原子的平均外层电子数减少的,T_(cr)和△E就随着上升.并依据近年被承认的理论模型作了讨论.     

FeMB(M=Mn,Mo)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—300K)的关系

本文研究了(Fe_(1-x)Mn_x)_(80)B_(20)(x=0—0.25)和(Fe_(1-x)Mo_x)_(80)B_(20)(x=0.05—0.18)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—300K)的关系。结果表明,所有样品都显示出电阻率与温度关系的极小值。在TT_(mim)的温区,电阻率的T~2关系认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果。     

掺少量Zr对非晶态FeZrSiB合金性能的影响

本文研究了掺少量Zr对非晶态Fe_(82-x)Zr_xSi_5B_(13)(x=0.02,0.16,0.87)合金的磁性、电性和热稳定性的影响。实验结果表明,当Zr含量从x=0.02增加到0.87时,晶化温度T_(cr)从755K增加到782K(升温速率10K/min),室温下的饱和磁化强度σ(R. T. )和居里温度T_C分别下降了3％和4.5％。Zr的加入也使得交换积分的涨落增大。在x=0.87的样品中,温度T=15K时出现了电阻率的极小值,可以认为是类Kondo效应的贡献。