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利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITOZr薄膜性能的变化.XRD和AFM分析表明,ITOZr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12 Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升.随着温度的上升,方阻可达到10 Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITOZr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITOZr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能. 相似文献
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利用简易合金靶材在Si(100)和SiO2基底上磁控溅射制备了Cu(1.42%Ti)薄膜。研究了少量钛对Cu/Si(100)和Cu/SiO2薄膜体系在573-773 K退火前后的微观组织结构以及界面反应的影响。X射线衍射分析表明,溅射态Cu(Ti)薄膜均呈现Cu(111)和Cu(200)衍射峰,而钛显著增强铜薄膜的(111)织构。对于退火态的Cu(Ti)/Si薄膜体系,由于少量钛在薄膜/基底界面处的存在,起到净化界面作用,促使Cu3Si的形成,从而降低了薄膜体系的热稳定性。但对于Cu(Ti)/SiO2薄膜体系,在773 K退火后,仍然呈现出良好的热稳定性。薄膜截面的结构形貌以及界面处俄歇谱的分析结果都充分证实了上述结果。 相似文献
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利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化.Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度.氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度.一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差.通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能. 相似文献
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采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO:Zr薄膜,研究了衬底温度、氧流量对ITO:Zr薄膜性能的影响.表征和对比了ITO:Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化ITO:Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能,衬底温度的提高显著改善了薄膜光电性能;一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能,但过量的氧却使得ITO:Zr薄膜的光性能变差.透射谱表明各参数的变化引起了明显的"Burstin Moss"效应.当优化溅射条件为工作气压0.5Pa、氧流量0.3 sccm、直流溅射功率45 W(ITO靶)和射频功率10 W(Z靶)、沉积速率8 nm/min和一定的衬底温度时,可以获得方阻10~20 Ω/sq和可见光透过率85%(含基底)以上的ITO:Zr薄膜. 相似文献
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研究磁控溅射法制备的Cr-Si-Ni和Cr-Si-Ni-Al电阻薄膜在模拟的碱性环境(NaOH溶液)中,介质溶液浓度和温度对薄膜电学稳定性的影响及其机理。结果表明:经热处理后呈纳米晶结构的2种薄膜在低温低浓度的碱性溶液中具有较好的电学稳定性和耐腐蚀性能,但是,随着溶液浓度和温度的增大其电学稳定性和耐腐蚀性能急剧下降,特别是在高温高浓度的碱性溶液中薄膜在很短时间内就出现性能劣化现象;2种薄膜在低温低浓度的碱性溶液中能够迅速地在膜层表面形成稳定的钝化保护层,从而有效地抑制溶液离子对薄膜内层的进一步腐蚀;而在高温或高浓度的碱性溶液中薄膜表面难以形成稳定的钝化保护层。 相似文献
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利用简易合金靶在Si(100)衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1.19%Cr和Cu-2.18%Cr薄膜,研究Cr对Cu薄膜在300~500 ℃真空退火前后的结构和电阻率的影响.X射线衍射分析表明Cu及Cu(Cr)薄膜均呈现Cu(111) 和Cu(200)衍射峰,并且Cu(Cr)薄膜一直保持较强的(111)织构.原子力显微分析表明Cu薄膜在500 ℃退火时,薄膜与硅基底发生明显的互扩散,薄膜表面的致密度及平整度下降;而Cu(Cr)薄膜在退火时保持较高的致密度,Cr显著提高Cu/Si薄膜体系的热稳定性.Cu(Cr)薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加,在400 ℃及500 ℃退火30 min后分别达到最小值2.76 Μω.cm和2.97 μΩ.cm,与纯Cu膜相近(2.55 μΩ.cm).Cu(Cr)薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关.适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu(Cr)合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景. 相似文献
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利用热力学计算软件JMatPro和相应的镍基高温合金数据库,研究了几种典型镍基单晶高温合金和GE公司的低Re成分单晶高温合金专利,分析了合金成分设计中与单晶叶片设计、微观组织稳定性以及加工工艺性能密切相关的一系列参数,包括合金的初熔温度、密度、γ'相体积分数、γ/γ'相错配度、TCP相含量、热加工窗口以及糊状区区间等,... 相似文献