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使用高温固相烧结法制备不同化学剂量比的CuAlO2陶瓷,研究CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)中Cu、Al摩尔比的相对变化对其结构和导电性能的影响.结果表明:CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)陶瓷片的结构和密度随着x值的增大,样品的结晶性逐渐变好,密度也逐渐增大,在x为0.98时,得到密度最大(5.02 g/cm3)且结晶良好的纯相CuAlO2;样品的光学带隙均约为3.44 eV;随着x值的增加,室温电导率先增大然后减小,在x为0.98时得到最大电导率为8.03×10-3 S/cm;电导率随温度的升高而显著增大,且曲线在100~300 K之间很好地符合Arrhenius关系,x为0.98时激活能最低,仅为0.085 eV;在所研究的成分范围内,CuAlO2陶瓷的导电能力主要取决于陶瓷片的致密度. 相似文献
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使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃~500℃时薄膜透过率在60%~70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善. 相似文献
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P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质,综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。 相似文献
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采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2 薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范Itt相时较低.CuLaO2 薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 am-650 am范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La203、Cu的氧化物及石英衬底的影响. 相似文献
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氧化亚铜薄膜的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了Cu2O薄膜的制备方法与基本性质,分析了Cu2O薄膜研究开发现状,展望了Cu2O薄膜在太阳能电池应用方面的前景。 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。 相似文献
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使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃~500℃时薄膜透过率在60%-70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52eV和1.83eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致。在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10^-3S·cm^-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善。 相似文献
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采用固相反应合成了CuAl1-xFeO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量.结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构.随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高.当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1 S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20~32 meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为P型半导体. 相似文献
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