MoSi2高温氧化层的微观结构

采用SEM，TEM和XRD方法研究了MoSi2在1200－1600℃的氧化层微观结构。在1240℃以下，氧化层由SiO2和其它氧化物混合而成，致密度较差。1240－1520℃区间氧化层表面存在针状、扇状或羽状的低温石英，氧化层较薄。在1520℃以上，氧化层中含有块状、粒状或蜂巢状的方石英，氧化层致密而均匀，增强了材料的抗氧化性能。     

SiC电热元件的高温失效分析

对炉用ＳｉＣ电热元件在空气介质中于１０００℃－１５８０℃范围的高温失效行为进行了试验分析。元件表面在高温下形成熔融态ＳｉＯ２薄层。由于在氧化反应中生成气体而产生气泡,气泡破裂后材料表面失去保护层,导致了高温氧化的加剧。文中对ＳｉＣ电热元件在不同温度下的脱落物进行了分析,对ＳｉＣ电热元件高温失效的原因进行了综合讨论。