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高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了1e16~1e18cm-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge+和Ge2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关. 相似文献
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重离子辐照诱发TiNiCu合金非晶化的原位电子显微研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在美国Argonne国家实验室连接有IVEM-Tandem National Facility加速器的Hitatch3000电子显微镜上,通过400KeV Xe^ 离子就位辐射研究了TiNiCu形状记忆合金的常温晶态-非晶态转变。入射的Xe离子通过级联碰撞,从0.05dpa开始辐照诱发TiNiCu合金化学无序,非晶化过程和化学无序几乎同时进行;0.2dpa后,马氏体变体的衬度明显减小,变得非常模糊;在0.4dpa非晶化转变完成,马氏体变体的衬度完全消失。 相似文献
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通过高能球磨技术制备了Tb_4O_7-18Ti O_2(质量分数,%)纳米尺度复合粉末。采用激光粒度测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同球磨时间的混合粉末的微观形貌组织、颗粒与晶粒大小以及晶格畸变量等进行了研究与表征。结果表明,混合粉末经过高能球磨后其颗粒与晶粒尺寸均达到了纳米级,组织均匀。Tb_4O_7相的X射线衍射峰随球磨时间的增加逐渐宽化且向大角度偏移;Ti O_2相衍射峰强度逐渐降低,在球磨4 h后消失。随球磨时间的增加,颗粒和晶粒的平均尺寸减小,球磨初期减小很快,球磨后期减小缓慢,最后趋于一个稳定值。96 h球磨后颗粒和晶粒的平均尺寸分别为200和95 nm,晶格畸变量达到1.35%。同时探讨了TiO_2相固溶和纳米晶形成原因以及微观组织演变的机制。 相似文献
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