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掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3,PT)超细粉末,分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明:这种粉末在约600℃热处理温度下,由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成,其晶粒平均尺寸约为18nm,比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中,Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置,产生阳离子空位,诱发晶格畸变,使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外,掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c/a比未掺Tb^3 的PT中的低,这类似于产生了赝立方结构,降低了从立方相向这种四方相转化的势垒,有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生,使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。 相似文献
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基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 相似文献
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两步沉淀法合成锆钛酸铅相形成的反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界.结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT.XRD分析结果表明:900℃煅烧合成的PZT粉体,摩尔组成在0.47≤x≤0.55范围时,菱方相和四方相共存,两相相等的组成点为x=0.515.基于PbO-PZT和PZT-ZrxTi1-xO3(ZT)2个反应界面以及离子扩散,提出了关于两步沉淀法合成PZT相形成反应机理的模型. 相似文献
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用添加PVA合成的凝胶前躯体制备出了尺寸分布窄并近似自由聚集的PZT钙钛矿粉体。分别用热失重和差热分析(TG/DTA),X射线衍射(XRD)及场发射扫描电镜(FESEM)研究其热行为,表征其相成分,观察其形貌。为了研究PVA对产物的影响,进行了改变PVA单体和金属离子摩尔比的一系列实验,结果表明,PVA的氧化作用和密封作用促进了PZT粉体的相形成并增加了粉体的团聚。 相似文献
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金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法,综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性。 相似文献
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使用溶胶-凝胶法在涂覆有Ti5Si3电极层的玻璃基板上成功制备了Ba/Sr为64的BST薄膜,并对该薄膜在600℃进行了热处理.使用XRD,阻抗分析仪对薄膜进行了测试,研究了不同热处理条件对薄膜介电性能的影响.结果表明,由于非氧化物Ti5Si3电极层中氧空位等缺陷含量少,因此可成功制备缺陷少,质量良好的BST薄膜.快速升温可得到的薄膜晶相含量较多,多次重复热处理使薄膜中晶相的缺陷相对较少;控制薄膜的热处理条件,可以控制薄膜的电容和损耗. 相似文献
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分别采用碳酸铵((NH4)2CO3,AC)和碳酸氢铵(NH4HCO3,AHC)作沉淀剂制备胶质溶液,利用胶质溶液喷雾热解制备纳米晶氧化钐掺杂氧化铈(Sm0.2Ce0.8O1.9,SDC)电解质粉末。通过X射线衍射、热重分析和扫描电镜表征粉末和陶瓷的结构和形貌,探讨沉淀剂对前驱体和SDC粉末形貌、粒径和结晶相的影响及作用机理。结果表明:通过AC途径制备的喷雾热解粉末呈球状,经700℃热处理后,得到的SDC粉末聚集体粒径小于0.5μm,具有很高的烧结活性,经1250℃烧结4h获得的陶瓷密度达到理论密度的96%;通过AHC途径制备的喷雾热解粉末经热处理后仍保持片状,相应的陶瓷呈多孔结构,只有理论密度的79%。 相似文献
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