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用标准单辊甩带技术在大气环境下制备Fe73.5Si13.5-x Gex B9Cu1Nb3(x=3,6)非晶条带,分别在470℃、510℃、550℃和590℃对非晶条带进行真空等温退火1 h后,在非晶基体中形成了纳米晶相。用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和差示扫描量热法(DSC)测量研究了快淬态和热处理后样品的结构和结晶动力学。基于差热分析的数据,使用Kissinger,Ozawa和AugisBennett模型计算了非晶条带的结晶激活能,利用Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方程计算了非晶条带初始结晶的局域Avrami因子n。局域Avrami因子n随晶化体积分数α的显著变化说明,非晶条带非等温初始结晶的机理在不同的晶化阶段是不同的。晶化初期的机理是扩散控制的三维形核和晶粒生长的整体晶化,形核速率逐渐减小;晶化中后期为一维形核和生长的表面晶化过程,形核速率近似为零。基于XRD和TEM测量结果,分别在510℃、550℃和590℃真空等温退火1 h后,在Fe73.5Si13.5-x Gex B9Cu1Nb3(x=3,6)非晶条带中析出的α-Fe(Si,Ge)相的平均晶粒尺寸D小于15 nm。 相似文献
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Finemet型合金由于其高磁导率、低损耗及较小的磁致伸缩系数等优秀的软磁性能,吸引国内外大量学者们对其进行研究。介绍了Finemet型合金的组织结构、磁性能并且与其他典型软磁材料进行对比。综述了目前国内外为了改进Finemet型合金软磁高饱和磁感应强度方面所做的研究工作,并且提出了对今后研究方向的建议。 相似文献
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研究了甩带速度对TbMn6Sn6化合物晶体结构和磁性的影响。结果表明,甩带冷却速度对TbMn6Sn6化合物的晶体结构几乎没有影响,主要是由1:6:6型相所构成,其中含有少量铁磁性的Mn3Sn2杂相;随着甩带速度从3900r/min降至1500r/min,试样晶粒尺寸依次为220、170、280和340nm;甩带冷却速度对TbMn6Sn6化合物的室温矫顽力几乎没有影响,以3900r/min甩带制成的TbMn6Sn6化合物的矫顽力,随着温度的升高,从5K下的1600 Oe上升至100K下的11360Oe,然后随着温度继续上升至300K,其矫顽力减小至533Oe。 相似文献
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首先介绍了铁基纳米软磁合金,由于其具有高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗等许多优良的软磁性能,被应用于扼流线圈和变压器等多种磁性部件,从而引起了人们的注意。然后对传统纳米软磁合金和新型FeSiBPCu系纳米软磁合金的研究进程进行了详细的阐述,介绍了国内外的一些研究人员对于纳米软磁合金的探索。并将新型FeSiBPCu系纳米软磁合金与传统纳米软磁合金进行对比,列出其具备的优势与不足。然后重点介绍了针对这些不足,对这种新型纳米软磁合金进行的一些拓展研究的进展及现状。最后对这种新型纳米软磁合金的发展进行了展望。 相似文献
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对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物(441K以下为铁磁性)磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5.89%。本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释。 相似文献
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利用标准的单辊甩带技术在大气环境下制备了Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xVx(x=1,2)非晶条带。利用非等温DSC测量研究了非晶条带的初始结晶动力学行为。采用Kissinger方法计算了非晶条带的初始结晶激活能,其数值分别是302kJ/mol(x=1)和364kJ/mol(x=2)。Avrami因子n的计算结果分别为2.35(x=1)和1.61(x=2),Avrami因子的计算结果表明,非晶条带非等温初始结晶的机理为扩散控制的低维生长,且其形核率不断降低。在793、823和853K下分别对非晶条带进行真空等温退火1h,从而在非晶基体中形成纳米晶相。XRD分析结果表明,823和853K下真空等温退火1h后,x=1和2非晶条带中析出的α-Fe(Si)相的平均晶粒尺寸分别为12.8、14.0、13.3和14.2nm。 相似文献
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采用单辊熔体快淬法在大气环境中制备Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox(x=1,2,3)非晶合金薄带,利用差示扫描量热分析和X射线衍射分析进行非晶合金的晶化动力学研究,计算出Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox(x=1,2,3)非晶薄带的晶化激活能分别为349、262、332 kJ/mol,其Avrami指数分别为1.95、2.14和2.00。结果表明,随着升温速率的提高,Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox(x=1,2,3)非晶薄带的起始晶化温度和晶化峰值温度相应升高;以Mo部分替代Nb降低了非晶合金的晶化激活能;-αFe(Si)软磁相具有扩散控制的低维形核和生长的晶化机制,且形核率逐渐减小。 相似文献