柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应

采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强.     

菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究

利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器(MRAM)存储单元时的要求。     

应力生长FeCoSiB非晶薄膜的磁各向异性研究

采用应力生长方法，制备出受压应力和张应力作用的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜，研究了薄膜中的应变大小对FeCoSiB薄膜的磁滞回线、剩磁、应力诱导各向异性场等磁特性的影响．结果表明，无应变薄膜在薄膜面内呈现各向同性，而有应变的薄膜呈现出明显的各向异性。张应力诱导的各向异性与应力方向平行，而压应力形成垂直于应力方向的磁各向异性。各向异性场随应变的增大而线性增大。     

铸件成本预估和计算机辅助铸件报价系统

在考虑铸造厂的工时,原材料,投资和铸造工艺等因素的情况下,找出了适合我国铸造厂的成本预估计算方法.开发了铸件报价计算机系统.     

磁性随机存储器中的电流磁场分布模型

根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t)对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。     

溅射气压对FeCoSiB非晶薄膜表面形貌及磁特性的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了FeCoSiB非晶薄膜，研究了溅射心气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明，薄膜的表面形貌显著依赖于心气压强，随着山Ar压强的增加，薄膜表面颗粒增大，粗糙度增加并形成柱状微结构。心气压强对薄膜磁特性有显著的影响，随血压强增加，薄膜的矫顽力增加，而剩磁则呈下降趋势。从薄膜的磁滞回线、矫顽力以及剩磁随溅射气压的变化规律可知，溅射气压较小时制备的薄膜软磁性能较好．