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设计了一种应用于射频无线收发芯片的数字基带控制器,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计。该基带控制器系统主要包括接口电路、组帧电路、解帧电路以及核心控制处理器,可实现SPI通信和多种收发功能操作。基带控制器最终被集成到射频收发机芯片中并进行了流片验证,测试结果显示,基带控制器面积为0.54mm2,所有功能工作正常,实测功耗0.59mW。 相似文献
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研究了Cu-Be-Co-Zr合金480℃恒温时效条件下的时效析出动力学。根据导电率与析出相体积分数的关系,计算了Cu-Be-Co-Zr合金不同时效时间(0, 30, 60, 120, 180, 240, 360, 480, 600 min)对应的析出相转变比率,建立了Cu-Be-Co-Zr合金480℃时效条件下的析出相变动力学方程和导电率方程,并在此基础上绘制了等温转变动力学S曲线;采用固态热分解反应机理的积分方程,揭示了Cu-Be-Co-Zr合金时效析出转变机制为受扩散控制的反应机理。 相似文献
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对比了Cu-15Ni-8Sn合金铸态、均匀化退火态(850℃×8 h)、锻造态、固溶态(840℃×1 h)和时效态(400℃×6 h)的硬度、强度和伸长率变化规律,分析了不同工艺状态下合金的显微组织和断口形貌。结果表明:铸态合金的组织为发达的树枝晶;经均匀化退火后,枝晶组织消失,层片状组织完全溶于铜基体;均匀化退火态合金经锻造后,晶粒尺寸明显减小,平均晶粒尺寸从58.78μm减小到4.22μm,抗拉强度由395.39 MPa提高到659.50 MPa,细晶强化为主要强化机制;固溶态合金由于溶质原子的充分固溶,伸长率大幅提升到46.7%;进一步经时效处理后,抗拉强度提高到802.50 MPa。 相似文献
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针对材料损伤过程中内部裂纹缺陷的表征,采用工业CT (Computed Tomography)对含有内部裂纹的试样进行扫描,获得了裂纹三维方向灰度切片图像,借助MATLAB+ImageJ软件对裂纹阈值、面积分布和扩展路径等特征进行了定量表征分析和拟合。结果表明裂纹面积分布呈对称趋势,采用四项式可较好拟合裂纹面积特征分布规律,采用累加法计算裂纹体积为76.83 mm3,与积分法计算相对误差为0.48%;相邻切片裂纹面积差值绝对值小于5的占59.26%,此区间裂纹区变化较为均匀;主视图裂纹体沿两侧扩展路径呈现不一致趋势,分别采用Gauss函数和Logistic函数对两侧路径A、B进行拟合,拟合度因子R2分别为0.9928和0.9968,拟合精度较高;同时,主视图裂纹体两侧路径差值的3个峰值,将差值散点图分为3个阶段,其中阶段二差值呈线性增长。 相似文献
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设计了一种快速启动的低噪声射频片上电源,采用能够快速启动的RC低通滤波器在降低噪声的同时减少启动时间。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了设计、仿真与制造,电源的总面积为0.107mm2。仿真结果表明:输入电压为2~3.6V,输出电压为1.8V;在整个工作电压范围内,负载电流为10mA时,片上电源启动时间小于28μs;在1~100kHz频率范围内总积分噪声电压小于51.24μV;静态功耗电流为170μA(其中BGR消耗了133μA)。测试结果表明,片上电源可以很好地抑制1/f噪声。 相似文献
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研究了Cu-Be-Co-Zr合金480℃恒温时效条件下的时效析出动力学。根据导电率与析出相体积分数的关系,计算了Cu-Be-Co-Z合金不同时效时间(0,30,60,120,180,240,360,480,600 min)对应的析出相转变比率,建立了Cu-Be-Co-Zr合金480℃时效条件下的析出相变动力学方程和导电率方程,并在此基础上绘制了等温转变动力学S曲线;采用固态热分解反应机理的积分方程,揭示了Cu-Be-Co-Zr合金时效析出转变机制为受扩散控制的反应机理。 相似文献
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