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1.
李湛 《电子制作.电脑维护与应用》2013,(16)
1研究背景与意义
作为国家传播与发布信息的重要渠道,广播数字电视系统担负着正确引导舆论的使命,而保障广播数字电视的安全播出对于维护社会的稳定和国家的安全有着重要的战略意义,它是发展和建设国家信息化战略的基本要求和根本保证。其中建立与实现广播电视播出安全监测系统从而及时应对广播电视节目的调整等措施对于保障广播电视信息系统安全播出有着至关重要的作用。 相似文献
作为国家传播与发布信息的重要渠道,广播数字电视系统担负着正确引导舆论的使命,而保障广播数字电视的安全播出对于维护社会的稳定和国家的安全有着重要的战略意义,它是发展和建设国家信息化战略的基本要求和根本保证。其中建立与实现广播电视播出安全监测系统从而及时应对广播电视节目的调整等措施对于保障广播电视信息系统安全播出有着至关重要的作用。 相似文献
2.
从5种土壤和植物叶片上分离到24株酵母菌株。分别对它们的耐高温、木糖利用和产酒精能力进行了测定。从中筛选到4株能在45℃下生长良好,能够利用木糖的产酒精酵母菌株。 相似文献
3.
摘要:在数字化阅读背景下,探究纸质书的设计创新思维,从以多元体验为中心的设计角度出发,从书籍的纸质空间结构、多感官体验以及互动参与几个方面来分析多元体验的可行路径,进行设计实践。以书籍《是不是我多心》设计为例,探究多元体验的设计策略,寻找让阅读体验更加丰富新颖的设计形式。多元体验的设计思路能够拓宽书籍的形态与阅读模式,创新纸质书“非数字化”生存策略。 相似文献
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目的 系统研究钛元素含量对CoCrFeNiTi系高熵合金涂层成形过程、组织性能、力学性能和耐磨性能的影响,设计并制备工业应用价值较高的合金涂层。方法 采用激光熔覆技术在Q235钢上制备了CoCrFeNiTi高熵合金涂层,基于第一性原理预测了不同Ti元素涂层力学、形成特性,研究表征了涂层的显微组织、显微硬度和耐磨性能,结合试验和计算阐明了耐磨性能强化机制。结果 CoCrFeNiTi高熵合金固溶体相剪切模量较高,形成能较低,并且随着Ti元素含量的提升,两者逐渐升高。试验结果证明,CoCrFeNiTi涂层整体为FCC固溶体相,高钛元素组会出现FeCr相、NiTi相和CoTi相组成。组织呈典型树枝晶状,枝晶区域富含Fe和Cr元素,枝晶间区域富含Ni和Ti元素。随着Ti元素含量的提高,CoCrFeNiTi涂层的显微硬度逐渐增加,摩擦因数、磨损率和磨损质量不断降低,耐磨损能力明显增强,试验与计算结果一致。其磨损机制主要为磨粒磨损,Ti元素含量较低组还伴随着黏着磨损。Ti元素含量提高会加剧合金内晶格畸变效应,促进σ相等硬质相析出,产生固溶强化与析出强化作用,阻碍裂纹发展,磨损面积较小,提高耐磨性能。结论 随着钛元素含量的增加,CoCrFeNiTi高熵合金涂层的硬度和耐磨性能有了明显的提升。CoCrFeNiTi0.7激光熔覆涂层具有更高的工业应用价值。 相似文献
5.
通过对引信软件特性的分析,结合软件测试理论,建立了针对引信软件开发过程的简化螺旋模型和针对开发组织结构的七人模型,形成一个完整的软件开发模型.同时,结合有关标准,提出以McCabe指数作为引信软件逻辑复杂性测试的指标,并用该指标对某引信软件进行了分析. 相似文献
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7.
北京某历史建筑,在不改变建筑外观与紧邻景观条件下,采用新建内嵌式地下结构方案,实现既有地下室大跨度结构改造、增加层高与外部拓展。为进行大跨度结构改造,采用托换结构与新建地下结构合二为一的永久性托换结构,实现既有建筑内部承重结构的整体托换,避免了采用临时性托换在其拆除时引起的既有结构二次变形。为增加地下室层高,将永久性托换结构荷载及其承担的结构荷载向两侧传递到地基基础侧向托换结构的托换桩上,拆除既有地下室内部承重构件后,顺序进行土体开挖、地基基础侧向托换结构水平构件施工、永久托换结构下部新建地下结构施工。地基基础侧向托换结构在保持既有地基应力和变形状态、控制土体开挖引起既有建筑沉降的同时,对永久托换结构荷载起到中间传递功能。本文从地下空间拓展建筑与结构方案、荷载托换与传递体系、托换结构设计、结构稳定性、沉降控制、沉降监测等方面对工程情况进行了介绍。本工程采用的新建内嵌式地下结构方案及荷载托换技术具有普遍应用价值,可广泛应用于既有建筑地下空间拓展工程。 相似文献
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采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃~120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。 相似文献
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