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1.
本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致。结果表明,减压拉晶能有效地控制拉晶过程中由于溶质分凝造成的熔体内Sb浓度的增加,从而能大大地推迟“析出”。当炉膛压力大约减至2.7kPa时,能保持熔体中Sb浓度几乎不变。 相似文献
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高能球磨LaNi5-34%(质量分数)Mg的相组成与热稳定性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DTA)等方法研究了高能球磨及热处理等对新型合金LaNi5-34%(质量分数)Mg的相组成、形貌及热稳定性能等的影响。结果表明:经100r/min球磨100h及190r/min球磨100h后,样品由La、Mg、Ni等非晶。微量的晶体Ni和MgNi2相组成,所得粉末的形状大多为规则的球形或近球形,其颗粒直径范围为0.05~33.0μm。球磨样品具有较好的室温活化特性,其最大电化学放电容量为460mAh/g。该样品经763K保温35d后,得到热稳定性较好的具有纳米尺度的MgNi2、Mg2Ni、Mg2NiLa三相组织,其平均晶粒直径为21.3nm。 相似文献
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添加钕对Mg2Ni储氢合金的结构和电极性能的影响 总被引:2,自引:1,他引:2
利用两步法制备了一系列添加Nd的三元Mg2-xNdxNi合金。XRD分析证实,当x=0.05,0.1时,制得的三元Mg2-xNdxNi合金均为Mg2Ni单相合金;三元Mg18Nd0.2Ni(x=0.2,0.3)合金为三相合金,三相分别为Mg2Ni,NdNi,NdMgNi4。模拟电池测试结果表明,同Mg2Ni合金相比,球磨10h的三元Mg1.8Nd0.2Ni合金和Mg17Nd03Ni合金电极的放电容量提高明显,且Mg17Nd03Ni合金电极的循环性能有明显改善。这极有可能与合金中NdMgNi4相的存在以及球磨形成的微结构有关。 相似文献
4.
系统研究了按Mo-66.6%Si配比的混合粉末反应烧结合成MoSi2的相变过程,并从热力学和动力学的角度给予分析.结果表明,反应烧结合成纯MoSi2的最低温度为1 200℃左右,且由低温至高温相的形成顺序为Mo Si→Mo3Si Si→Mo5Si3 Si→MoSi2. 相似文献
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液相共沉淀法制备BaPbO3导电陶瓷的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC)特性 相似文献
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压力和温度对Al—Cu—Fe系准晶合金相变的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用X射线衍射、透射电镜等手术研究了高压下Al65Cu20Fe15等快速凝固粉末中准晶及晶体相的相变问题,在800℃,6GPa条件下,准晶粉末中的晶体相基本上转变为二十面体准晶相,在常压下,准晶相在高温转变为晶体相,夺对相变热力学有显著影响。 相似文献
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机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。 相似文献
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采用X -射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、差热分析仪 (DTA)及电池性能测试仪等研究了机械合金化及热处理等工艺因素对LaNi5 2 6wt%Mg合金的组织形貌、热稳定性及电化学贮氢性能等的影响。结果表明 :经 2 80r/min机械合金化 2 5 0h后 ,样品由镧、镁、镍等非晶和MgNi2 纳米晶(3 1nm)组成 ,颗粒形状为规则的球形或近球形 ,粒径为 0 0 6~ 12 6μm ,其中约有 95 %的颗粒的粒径为0 5~ 2 0 μm。该样品经首次充放电活化时即达到其最大的放电容量 (4 2 0mAh/g) ,具有较好的室温电化学活化特性。经 763K保温 3 5d ,样品由热稳定性较好的具有纳米尺度 (2 4 1nm)的Mg2 NiLa、Mg2 Ni、MgNi2 三相组成。 相似文献
10.
采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大. 相似文献