非致冷红外探测用VOx薄膜XPS价带谱研究

介绍了用XPS技术研究反应溅射制备的VOx薄膜;结果表明该方法制备的VOx薄膜大多是不同价态的混合物,其物相、成分与氧分压密切相关.XPS价带谱研究发现VO2 δ物相的薄膜最利于非致冷红外探测.     

氘在金属钛中的分布

Ｔｉ是优良的吸气物质，尤其是氢（Ｈ）Ｉ的同位素氘（Ｔ）或氘（Ｄ）进入Ｔｉ晶格空穴后，在特定的条件下可实现核反应，然而氘具有放射性，常将Ｔ替换为Ｄ进行研究。Ｄ在Ｔｉ中的分布规律，提高Ｔｉ中Ｄ的含量一直是相关科学关注的重要内容。     

PtSi薄膜超薄化及连续性研究

减薄膜厚有利于提高ＰｔＳｉ红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响。用ＸＲＤ观察物相,ＳＥＭ、ＴＥＭ研究薄膜连续性,并给出理论解释,实验表明用混合生长（Ｓ－Ｋ）模式能形成超薄连续薄膜。     

TiV合金中钒原子的行为研究

为了改善钛金属的储氢和保持惰性气体的综合性能并增加其抗氢脆能力 ,使用合金化手段引入合金元素钒 ,用XRD仔细分析了所制取的不同钒含量的合金。通过对XRD结果的分析发现钒原子进入钛晶格后 ,当V <4 0 %时 ,合金晶胞参数a ,c的变化主要是V的原子半径起作用 ;V >4 0 %时 ,V的电子电荷和原子半径同时起着显著作用。这些因素使晶胞参数c先变小后变大 ,而a则一直减小 ,这导致晶格中A ,B层的间距增大 ,层间的相互作用被削弱 ,因而使c轴方向上的晶格畸变加大。随着V含量的增加 ,单胞体积呈下降趋势 ,但在V为 5 %～ 7 5 %之间有一平台区。 ( 0 0 2 )和 ( 10 3 )晶面半高宽的异常增大则是由于不同相结构衍射角相近 ,且相应衍射面晶格畸变加大等因素综合作用的结果。     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度

Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.     

利用扫描电子显微镜对BeO电路基片进行失效分析

当今电子器件的发展趋势是高密度、多功能、快速化和大功率 ,因此散热问题成为影响功率衰退和器件寿命的关键因素。氧化铍陶瓷的热导率比三氧化二铝陶瓷高一个数量级 ,这是其最为可贵的特性 ,氧化铍陶瓷具有介电常数低、介质损耗小、抗热冲击性好等特点 ,是高频大功率薄膜电路基板的首选材料。薄膜电路导体材料为金 ,金的电阻温度系数小 ,对陶瓷基板有良好的附着性 ,另外为提高金与氧化铍之间的附着力 ,采用镍铬合金作为过渡层[1～ 3 ] 。材料和方法样品为 18ｍｍ× 10ｍｍ× 0 6ｍｍ的氧化铍陶瓷电路基片 ,制作电路的工艺流程为 :基片予处…     

离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度

PtSi肖特基二极管的势垒高度制约PtSi红外探测器的截止波长和量子效率.在PtSi/Si界面注入In+、B+,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应,用Ar气保护热处理消除注入损伤,附加掩膜层控制离子注入深度,成功地将PtSi肖特基二极管的势垒高度降低到0.15eV.     

红外用超薄PtSi膜的一种制备新方法

膜厚制约着PtSi红外探测器的量子效率。本文介绍了一种根据固相反应理论 ,在 1 0 - 4 Pa量级真空度条件下 ,采用真空退火、化学腐蚀手段制备超薄 (约 5 5nm)PtSi膜的新工艺方法 ,并用XRD ,XPS对所制备的样品进行了物相分析。该方法所需温度低 ,时间短 ,制得薄膜均匀性好     

XRD摇摆曲线在单晶基片质量检测中的应用

本文试图采用倒易空间解释XRD摇摆曲线的物理意义,拓展摇摆曲线的使用范围,并提出用于检测单晶基片质量的几个方法:①基片表面机加工损伤程度分析;②基片表面缺陷分析;③切偏角的测定。将这些方法用于超导膜基片实际检测中,测出样品基片表面损伤程度的差异可达10倍左右(用基片表面晶粒的大小为衡量标准);切偏角在5°～0.7°之间;发现LaAlO_3基片在ab晶面常存在各种缺陷,直接影响超导膜的处延生长。