MLCC三层镀中甲基磺酸镀锡体系工艺条件对锡镀层性能影响的研究

研究了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀中甲基磺酸镀纯锡体系pH值、温度、电流密度等工艺条件及杂质金属离子对镀液稳定性、镀层结构和性能等方面的影响。从电流效率、沉积速度及锡镀层表面的扫描电镜等方面,对比了不同pH值、温度、电流密度以及锡镀液中掺杂Cu2+、Ni2+后对锡镀层结构和性能的影响。研究结果给出了电镀工艺中最佳的pH值为3.5±0.2、温度为(23±2)℃、电流密度可以有较宽的范围,当镀液中掺有镍、铜等杂离子会对镀层产生负面影响,在给出的工艺参数下电镀,可以确保镀出最佳的纯锡镀层。     

片式电子元器件中无铅可焊镀层的研究

研究了对片式电子元器件以纯Sn镀层取代可焊性优异但环保性差的Sn-Pb镀层在生产过程中遇到的问题及解决途径。结果表明,Sn镀层上的“晶须”是制约其使用的主要问题,通过镀覆中间层、控制Sn层厚度、选择减小镀层压应力的添加剂、采用甲基磺酸锡体系镀哑光Sn等措施能有效抑制“晶须”的产生,获得可焊性好、能满足片式电子元器件批量生产质量要求的无铅镀层。介绍了以预镀Au、Pd取代Sn-Pb镀层的进展。     

MLCC三层镀中甲基磺酸镀锡体系工艺条件对锡镀层性能影响的研究(续)

针对了片式多层陶瓷电容器（MLCC）三层镀甲基磺酸镀纯锡体系,提高镀液中Sn^2＋离子浓度、添加剂浓度及增大阴极电流密度对电流效率、沉积速度、最大允许电流密度及镀层性能等几个方面的影响.结果表明,提高Sn^2＋离子浓度和阴极电流密度后,添加剂Ⅰ按Sn^2＋离子浓度比例相应提高,添加剂Ⅱ浓度不变,阴极电流密度提高至0.3～0.35 A/dm^2,沉积速度加快,即镀得相同厚度的镀层,其电镀时间可比原来工艺缩短三分之一,收到缩短电镀生产周期、提高生产设备利用率的效果.     

银微粉制备过程中比表面积影响因素的研究

采用液相化学还原法制备了高比表面积的银微粉,通过分析测试银微粉比表面积的变化情况,研究了各种因素如PVP分散剂用量、银质量浓度、碳酸钠用量、反应温度及混合并流压强等对银微粉比表面积的影响。结果表明:制备比表面积为6~9 m2/g的银微粉的最佳条件为:PVP分散剂用量为银量的2.0%~2.5%(质量分数),银质量浓度40~50 g/L,碳酸钠用量35~40 g/L,温度35~45℃,并流压强0.4~0.6 MPa。