声光双稳系统周期微扰反馈混沌控制研究

利用周期微扰反馈的方法,数值研究了声光双稳系统的混沌控制,通过对混沌态施加一定幅值和频率的周期微扰信号,可以将混沌态控制到不动点和周期轨道上。并用实验证明了这种方法的有效性。     

二阶级联声光双稳模型的超混沌控制

利用变量反馈方法研究了二阶级联声光双稳模型的超混沌控制。数值结果表明,在适当的反馈系数下,可将系统的超混沌态分解成若干片混沌带,或控制到不动点和周期运动;对不同的反馈系数,达到某种控制所需的迭代次数不同。     

Lorenz和Rossler混沌系统的两驱动一响应同步研究

本文对Lorenz吸引子和Rossler吸引子的两变量驱动一变量同步现象进行了深入研究．结果表明，Lorenz吸引子可任意实现两变量驱动一变量同步，而Rossler吸引子只能有选择地实现两变量驱动一变量同步．本文由Rossler吸引子发展了同步概念．     

Increased radiative recombination of AlGaN-based deep ultraviolet laser diodes with convex quantum wells

An AlGaN-based deep ultraviolet laser diode with convex quantum wells structure is proposed. The advantage of using a convex quantum wells structure is that the radiation recombination is significantly improved. The improvement is attributed to the increase of the effective barrier height for electrons and the reduction of the effective barrier height for holes, which results in an increased hole injection efficiency and a decreased electron leakage into the p-type region. Particularly, comparisons with the convex quantum barriers structure and the reference structure show that the convex quantum wells structure has the best performance in all respects.     

类Henon吸引子相空间演化行为研究

本文是对类Ｈｅｎｏｎ吸引子的完善，讨论了频率因子对其相空间演化的影响，在一定的频率范围内，该吸引子的混沌特性能够保持，且具有明显的分形特性，但此频带非常窄，频带外吸引子或空间发散，或对精度要求苛刻，从而无法实现稳定的混沌，然后讨论了频率和位相对类Ｈｅｎｏｎ吸引子的共同影响，对各为在相关吸引子的演化特性做了对比和总结。     

高阶级联声光双稳系统超混沌模型及其同步

本文在一阶声光双稳混沌系统的基础上,利用变量耦合驱动的方法,构造高阶级联声光双稳系统的超混沌模型,并实现了子系统之间的混沌同步。该系统在混沌保密保密光通信中有着潜在的应用价值。     

具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化北大核心CSCD

为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构。使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能。     

类Henon吸引子动力学演化研究

给Henon吸引子系统引入正弦因子，提出了类Henon吸引子的一种模型，研究其在相位控制参数下的混沌演化行为。     

基于p-型氮化硼材料的深紫外LED设计

本文通过在发光二极管(light emitting diode,LED) 的p掺杂区域引入六方氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN) 结构,以提升深紫外(deep ultraviolet,DUV) LED的空穴浓度。通过COMSOL有限元软件对LED器件量子阱区域建模,结果表明:1) 掺入h-BN后,p区域空穴浓度提升了约一个数量级,发射率和内量子效率(inernal quantum efficiency,IQE) 得到了显著提升; 2) 随着h-BN厚度的增加,p区空穴浓度显著提升;3)h-BN相对于AlGaN材料带隙上移的特性,有效地阻挡了电子泄露,使量子阱区域电子和空穴复合进一步增强,有效改善了DUV LED的发光效率。本文提出的设计结构为实验制备高量子效率的DUV LED器件提供了解决方案。     

基于双凹型波导层的深紫外激光二极管辐射复合特性

本文提出利用双凹波导层来改善深紫外（DUV）激光二极管（LDs）的辐射复合特性。利用Crosslight软件对四种不同的波导层结构进行了仿真研究。结果表明,双凹下波导层的引入提高了空穴的有效势垒高度,有效地抑制了空穴从多量子阱（MQW）区的泄漏,增加了MQW区载流子的浓度。优化后的结构辐射复合率显著提升,具有更好的P-I特性和光学约束因子,为提高DUV LDs的性能提供了一个有效的解决方案。