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采用磁控溅射工艺,由计算机程序控制,在光纤表面制备了厚度均匀的Tb0.29Dy0.71Fe1.8超磁致伸缩薄膜.利用马赫-曾德尔干涉仪,对Tb0.29Dy0.71Fe1.8超磁致伸缩薄膜/光纤传感系统的磁探测性能进行了实验测试.结果表明:在调制频率1 kHz附近,传感系统对磁场具有最大的信号响应;在恒定直流磁场及调制磁场强度小于1 kA/m条件下,系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加,但调制磁场强度较大时会引起直流工作点的波动;在35~50 kA/m的直流磁场范围内,系统输出信号随磁场强度的变化率较大,传感系统(对应1 m长传感臂)可探测的最小磁场变化为8.6×10-2 A/m,若采用分辨率为10-6 rad.的干涉仪并增加镀膜光纤的长度和Tb0.29Dy0.71Fe1.8薄膜厚度,则可进一步提高系统的磁探测灵敏度. 相似文献
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采用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)作为分散剂,通过超声波作用对纳米SiO2粉体进行水中分散,并采用分散体系粒径分析和测定Zeta 电位及透光率的方法,研究了SDBS含量、超声分散时间等因素对分散性能的影响.结果表明,纳米SiO2的粒径随分散剂含量、超声时间的增加,表现出先减小后缓慢增大的变化趋势.在适量SDBS的条件下,纳米SiO2分散体系因静电和空间位阻的作用而表现出良好的分散稳定性.SDBS对纳米SiO2粉体的较佳分散工艺为:SDBS含量为1.6% ,超声处理时间为18 min. 相似文献
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采用直流磁控溅射工艺制备TbDyFe磁致伸缩薄膜,通过考察薄膜成分及其微结构,分析研究了溅射功率对薄膜磁致伸缩性能的影响。结果表明,同一薄膜内部成分相当均一,但不同溅射功率条件下的薄膜成分相异。溅射功率较低,薄膜内部微柱状体结构导致了磁各向异性的产生,磁致伸缩性能下降;溅射功率提高到120W,微柱状体结构消失,薄膜内部趋于均一连续,磁致伸缩性能较好。 相似文献
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介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别釆用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨。最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势。 相似文献