首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   115篇
  免费   4篇
  国内免费   34篇
工业技术   153篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2021年   4篇
  2020年   4篇
  2019年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2015年   3篇
  2014年   1篇
  2012年   4篇
  2011年   5篇
  2010年   9篇
  2009年   5篇
  2008年   5篇
  2007年   14篇
  2006年   25篇
  2005年   19篇
  2004年   15篇
  2003年   6篇
  2002年   8篇
  2001年   11篇
  2000年   4篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有153条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method under different conditions. Inter-digital transducers (IDTs) were formed on the nucleation sides of free-standing diamond films by photolithography technique. Then piezoelectric ZnO films were deposited by radio-frequency(RF) reactive magnetron sputtering to obtain the ZnO/diamond film structures. Surface morphologies of the nucleation sides and the IDTs were characterized by means of scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscope (AFM) and optical microscopy. The results indicate that the surfaces of nucleation sides are very smooth and the IDTs are of high quality without discontinuity and short circuit phenomenon. Raman spectra show the sharp diamond feature peak at about 1 334 cmI and the small amount of non-diamond carbon in the nucleation side. X-ray diffraction (XRD) patterns of the structure of ZnO/diamond films show a strong diffraction peak of ZnO (002), which indicates that as-sputtered ZnO films are highly c-axis oriented.  相似文献   
2.
大豆蛋白酶解产物降胆固醇活性的初步研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了用AS1.398和Alcalase两种蛋白酶制备的水解度为10%~24%的大豆蛋白酶解产物的降胆固醇活性.结果表明:用Alcalase酶水解大豆蛋白,水解度为18%的产物降胆固醇活性最高,添加量为5 mg/mL时,对胆固醇胶束溶解度的抑制率为48.39%,动物实验表明该产品在灌喂剂量大于1 g/(kg·d)时,对喂饲高脂饲料小鼠的血清总胆固醇降低作用比较显著(P<0.025),30 d后降低幅度可达30%以上.  相似文献   
3.
采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5μm~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器。对GEM探测器在55Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、ΔGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响。结果表明,随着漂移区电场的增加,计数先增加后减小,在13kV/cm时达到最大值9.7×104。随着ΔGEM电场的增加,记数呈指数增长,最大可达1.2×104。随着收集区电场的增加,计数增大并趋向饱和,最大可达1.3×105。  相似文献   
4.
用射频等离子体化学气相沉积法(RFCVD)和CH4、N2与Ar组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜(a-C:H:N)。用原子力显微镜(AFM),俄歇电子能谱(AES),红外光谱(IR)以及显微拉曼谱(Micro-Raman)对a-C:H:N薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行了表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中N2与CH4比值的增大,薄膜中氮元素的含量也随之增大,并主要以C-N键和N-H键形式存在,少量以C≡N键形式存在,还研究了热退火对a-C:H:N薄膜的电导率的影响。  相似文献   
5.
纳米金刚石薄膜的光学性能研究   总被引:1,自引:2,他引:1  
用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.  相似文献   
6.
以四氯化锆为锆源,乙醇为溶剂,采用溶剂热辅助熔盐法低温煅烧制备氧化锆纳米片。研究并讨论了熔盐种类和用量对氧化锆晶体生长和形貌的影响。结果表明:以NaCl和Na3PO4的混合物为熔盐,且m(前驱体):m(NaCl):m(Na3PO4)=10:10:1时,可以得到平均边长超过1.8μm,厚约70 nm,宽厚比大于10:1的单斜氧化锆纳米片。纳米片为单晶结构,无明显缺陷,主要暴露面为(001)晶面,其在熔盐中的形成符合自聚焦机理,包括溶解、扩散、吸附和生长过程,(001)面主导的氧化锆纳米片与表面能的理论计算结果吻合。  相似文献   
7.
以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。  相似文献   
8.
通过对四川软玉猫眼进行X射线粉晶衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析,结果表明四川软玉猫眼主要由透闪石矿物组成.利用XRD计算的晶胞参数为α0=0.984nm~0.985nm,ь0=1.780nm~1. 782 nm,с0=0.527nm~0.528 nm,β=106.13°~106.35°.傅立叶变换红外谱带中3670cm-1附近的吸收谱带归属透闪石结构中OH伸缩振动的A带.960cm-1~1100cm-1间的谱带归属(Si4O11)的伸缩振动.600cm-1~800cm-1范围内谱带归属uaSi-O-Si振动,400cm-1~600 cm-1范围内的谱带归属(Si4O11)的弯曲振动和Mg-O伸缩振动.  相似文献   
9.
采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)为前驱体,乙醇为溶剂,利用硝酸铝中所含的结晶水代替水解反应所需的外加水,在莫来石基片上制备钛酸铝薄膜.借助偏光显微镜、SEM和XRD研究了提拉速度、浸渍时间和镀膜次数等镀膜工艺参数对镀膜效果的影响.研究结果表明:采用浸渍-提拉法,浸渍提拉速度为1mm/s、每次浸渍时间为30s,经过3次镀膜可以在莫来石基片上制备出均匀、致密、高质量的钛酸铝薄膜.  相似文献   
10.
采用AS1.398和Alcalase两种蛋白酶,制备了水解度为10%~24%的大豆多肽,对其抗氧化性、ACE抑制活性和相对分子质量的分布进行了研究,结果表明采用AS1.398酶水解的DH为12%的产品抗氧化活性最高,添加量为6 mg/mL时使亚油酸的氧化诱导期延长2.92倍,其相对分子质量分布在1 000以上的组分较多;采用Alcalase酶水解的DH为14%的大豆多肽产品,ACE抑制活性最高,IC50为0.144 mg/mL,其相对分子质量分布大多在200~600之间.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号