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1.
由于干态聚合物电解质目前还不能满足聚合物锂离子电池的应用要求,人们致力于开发含液体增塑剂的聚合物电解质,包括凝胶型和微孔型两类体系。本文综述了含液聚合物电解质的最新进展,重点论述了各种新体系和新方法。 相似文献
2.
通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃-陶瓷动态疲劳(恒应力速率)试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析,发现这种现象与材料的阻力特性(R-curve)密切相关。确立的σ_f-σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_f-σ在双对数坐标下为负斜率直线,直线斜率为(m为阻力曲线KR=k(△a)~m的指数),断裂主要由材料阻力行为控制;低应力速率区,σ_f-σ在双对数坐标下为正斜率直线,直线斜率为 (n为应力腐蚀指数),断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法,分别用这种方法及压痕/弯曲方法对一种可切削玻璃-陶瓷的阻力特性进行了实验测定,两种方法所得结果有很好的一致性。 相似文献
3.
Fastmet工艺评述 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了Fastmet工艺及发展状况,并对工艺特点和指标进行了分析。使用冷固结含碳球团和转底炉使该工艺可直接采用粉矿和提高生产效率,但因硫含量高、铁品位低而产品质量较差。不过投资和生产成本与传统工艺比较却占有较大优势。 相似文献
4.
6.
Guo Haitao Qiao Weihong Ba Yan Li Zongshi Jin Kun Peng Qinji 《Petroleum Science and Technology》2006,24(1):51-60
The GC/MS and NMR analysis of the reaction products of naphthalene with 1-bromohexane were reported. The products obtained were suggested to have six isomers of linear hexylnaphthalene and the structure of each isomer was determined by GC/MS and NMR spectra. For the first time, the unique chemical shift data were obtained. The content of each isomer calculated by 1H NMR and 13C NMR spectra was consistent with that by GC/MS spectra, which confirmed the accuracy of NMR data. 相似文献
7.
介绍一种针对正、余弦旋转变压器—数字转换器(RDC)模块,用复杂可编程逻辑器件(CPLD)技术实现伺服轴角编码电路设计的方案。分析了轴角编码器系统中14XSZ系列旋转变压器—数字转换器的原理、轴角粗精组合原理及轴角纠错原理。详细介绍了CPLD的内部功能电路、CPLD轴角粗精组合和纠错实现电路,以及CPLD的工作时序图。提出了利用CPLD实现轴角粗精组合处理的方案,并通过了实际系统运行的考验,证明该方案可行。 相似文献
8.
CHING-HUA Su YI-GAO Sha S. L Lehoczky F. R Szofran D. C Gillies S. D Cobb R. N Scripa 《Journal of Materials Science》1997,32(14):3765-3768
A series of Hg0.84Zn0.16 Te crystal ingots have been grown from pseudobinary melts by the Bridgmam–Stockbarger type directional solidification using
a Marshall Space Flight Center/Space Science Laboratory heat-pipe furnace and the ground control experiment laboratory furnace
of the crystal growth furnace which was flown on the first United States Microgravity Mission. A number of translation rates
and a series of hot- and cold-zone temperatures were employed to assess the influence of growth parameters on the crystal
properties for the purpose of optimizing the in-flight growth conditions.
This revised version was published online in November 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
9.
10.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 相似文献