超高纯锗棒或锭的净杂质浓度检测方法

介绍了一种检测超高纯锗棒或锭的净杂质浓度的新方法,采用直流两探针法,在77 K恒温下进行检测;两探针检测得到等间距电压降U,通过函数关系式计算得到电阻率ρ,再根据函数关系式|N_A-N_D|=1/(ρ×q×μ),计算得到探针笔间的锗棒或锭的平均净杂质浓度|N_A-N_D|。该方法可以检测锗棒或锭的整体杂质浓度,检测结果相对准确,检测效率高,有利于产业化。     

区域熔炼提纯超高纯锗

采用区域熔炼生长单晶的方法提纯超高纯锗,采用镀碳膜石英舟为容器,提纯后的锗锭在液氮温度下检测净杂质浓度。实验讨论了区熔次数和保护气氛对提纯效果的影响,结果表明区熔次数的增加可以明显提高提纯效果,在10～20次的范围内,最佳区熔次数为20次;在氢气氛围下提纯可避免微量氧对提纯的不利影响,有利于得到更高纯度的锗。实验提纯得到的锗锭净杂质浓度最低为5×10~(10)cm~(-3)。