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1.
本文通过测定甲酸铀酰[UO_2(HCOO)_2·H_2O]在290K-10K的红外光谱,确定了该化合物铀酰基团(O-U-O)v_(as)振动峰位,研究了温度对峰宽、峰位的影响,并采用差减及峰内标法估算了甲酸铀酰在290K-10K的同位素位移值。测得290K,77K及10K时~(238)U的v_(as)值分别为931.90cm~(-1),930.82cm~(-1)和930.74cm~(-1),~(235)U-~(238)U同位素位移△v分别为0.63cm~(-1),0.67±0.18cm~(-1)和0.71±0.21cm~(-1),位移值与理论计算值接近。 相似文献
2.
基于SOC的串联锂离子电池组均衡策略研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由于一致性问题的存在,成组电池在可用容量、使用寿命等方面远不及单体电池,电池组的均衡管理对电池的成组使用者有着重要的实际意义.论文就针对锂离子串联电池组的均衡技术进行了研究,首先介绍了电池组一致性问题产生的原因,指出均衡管理的重要意义,分析了锂离子电池组SOC的一致性和基于SOC的均衡策略,详细阐述了基于SOC的均衡技术实现,最终搭建实验平台进行测试,验证了所使用的均衡策略和硬件电路的有效性. 相似文献
3.
基于Windows Server2008设计并实现了支持IPV4和IPV6协议的FTP服务器。对IPV4环境中的应用程序向IPV6迁移进行了实质性的探索和研究。该文是使用Windows Server2008 IIS70搭建FTP服务器,并用SmartFTP实现访问。 相似文献
4.
报道了钕对 (NH4)6[CrMo5LaO24H6]·16H2O气相渗制备MoN的方法及电性能研究.根据TG-DTA测试结果确定了稀土扩渗的温度为800℃,扩渗后的化合物经XRF分析测试表明,微量的Nd可渗入到杂多金属氧酸盐的体相,Nd的渗入量为0.1347%;对比扩渗前后化合物的XRD谱图发现,扩渗前后化合物的衍射峰有明显的不同,并证实生成新的化合物MoN.利用四电极直流法对扩渗前后样品的导电性能进行了测试,结果表明其导电性能发生了显著的变化,由渗前的5.875×10-8S·cm-1,提高到扩渗后1.030×102S·cm-1,提高了1.753×109倍. 相似文献
5.
6.
针对城市中日益增长的车辆停放问题,介绍了一种巷道式的立体车库的结构和工作原理以及PCC(可编程计算机控制器)在本立体车库中的应用.详细阐述了这种基于PCC控制的立体车库机械部分和控制系统的设计过程,并对实体车库模型的运行做了分析模拟. 相似文献
7.
8.
提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1. 相似文献
9.
对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。 相似文献
10.
提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1. 相似文献