开关电源高频变压器超声波测量装置设计

高频变压器是开关电源的核心元器件,在开关电源高频的趋势中,如何测量高频变压器的高频噪音成为业界所面临的棘手问题。提出一种开关电源高频变压器超声波测量装置,可以精确、便捷地测量超出人耳听觉范围的超声波,并通过微处理器处理分析测量信息后,在显示屏中得到所选定高频噪音频率段的平均功率等级。     

基于新型免疫粒子群优化的热连轧负荷分配策略*

针对带钢热连轧精轧中的负荷分配问题,提出了一种新型的优化策略。首先提出了一种新型的免疫粒子群混合优化算法,通过克隆选择算子来调节群体的浓度,实现混合算法的个体高亲和力和群体的多样性; 然后通过提出的混合算法对负荷分配进行优化,得到优化的压下量数据,通过这些数据建立了计算负荷分配输出的人工神经网络。实验表明,提出的混合算法和负荷分配优化策略给出了很好的优化效果,能有效地指导实际生产应用。     

非耦合SC CuK DC—DC变换器的临界条件

非耦合开关电容ＣｕＫ－ＤＣ－ＤＣ变换器和普通ＣｕＫＤＣ－ＤＣ变换器相比,其输入输出电感可工作在独立的导电模式。由于它的导电模式不同于任何现有的变换器,因此本文对这种变换器的临界条件进行了详细分析,实验结果证实了理论分析。     

新型量子粒子群算法及其性能分析研究

本文在简要介绍基本粒子群优化（PSO）算法的基础上,讨论了一种新型量子粒子群优化算法,并给出了其实现方式,并通过标准测试函数对其进行性能对比评价。仿真结果表明,这种量子粒子群优化算法能给出很好的优化结果。     

用交流伺服电机和PLC改造液压控制系统

针对某落地镗床相对落后的液压控制系统,提出了采用先进成熟的PLC技术和交流伺服电机的控制系统对其进行改造。实践证明,改造后的控制系统在运行稳定可靠、维护简单易行,改善工作环境等方面都得到很大的提高,并对传统机床的电气改造具有一定的借鉴意义。     

一种新颖的次级箝位全桥移相电路

提出一种新颖的次级箝位方法。将初级的谐振电感等效到变压器次级，同时将二极管反向恢复电流反馈回初级主功率回路中去，不仅抑制了输出整流二极管的尖峰电压，还可以适当增加变压器的磁化电感，进一步扩大零电压开关的负载范围。详细分析了提出的变换器的12种工作状态和工作时序；分别给出了各个状态的等效电路。实验结果表明，提出的方法是可行的。     

表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究

由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiC JBS二极管反向特性的影响。结果表明,当金属接触区或场限环区有彗星形缺陷或彗核存在时,器件击穿电压较低。胡萝卜缺陷会造成反向偏压较低时器件漏电流的增大,对器件的击穿电压影响不大。生长坑对器件的击穿电压和漏电流影响相对较小。三角形缺陷的存在会导致反向击穿电压降低约50%,漏电流增大4个数量级,对器件的反向特性有较严重的影响。分析认为,表面缺陷所导致的4H-SiC JBS二极管肖特基势垒高度的降低和缺陷处局部电场的增大是产生上述实验现象的主要原因。     

SiC光触发晶闸管的研制与特性分析

碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值。在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制。所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80μm,杂质浓度为2×10¹⁴cm^-3。为改善阳极发射结空穴注入效率低的问题,短基区设计为双层结构,其中上层轻掺杂层厚度为0.3μm、下层厚度为1.7μm。测试结果显示,所研制SiC LTT正向开启电压为3.1 V,通态压降为4.39 V,比导通电阻约为87.8 mΩ·cm²;在100 mW/cm²,365 nm紫外(UV)光触发下,开通延迟时间约为14.9μs,阳极电压下降时间为100 ns,阳极电流上升时间约为11.5μs。     

继往开来、重振我国电力电子器件研发领域的雄风——电力电子器件研发进展专辑特邀主编评述

电力电子器件作为电力电子技术的3个主要支撑点之一,其前进步伐在很大程度上决定着整个电力电子技术领域的发展.     

推挽开关电容DC—DC升压变换器

采用推挽与开关电容网络相结合的拓扑结构,实现升压ＤＣ－ＤＣ变换器。研究了这种新型变换器的效率与拓扑结构间的关系,还采用等效电量关系法（ＥＥＱＲ）对变换器进行了稳态分析,并讨论了变换器的控制问题,实验与理论分析结果一致。