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为了探究复合纳米颗粒对环氧丙烯酸酯(EA)涂层阻燃性能的影响,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和正硅酸乙酯(TEOS)为原料合成了介孔二氧化硅纳米颗粒,以ZnCl2和SnCl4·5H2O为原料合成了锡酸锌(Zn2SnO4)纳米颗粒,将它们复合制成了介孔二氧化硅/锡酸锌复合纳米颗粒(SiO2/Zn2SnO4),并用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)对其表征。将所制的纳米颗粒(介孔SiO2、Zn2SnO4、SiO2/Zn2SnO4)与丙烯酸、丙烯酰胺、EA复合,经UV光固化制备出3种涂层(SiO2/EA、Zn2SnO4/EA、SiO2/Zn2SnO4/EA),通过紫外-可见光谱仪、差示扫描量热仪(DSC)及氧指数测定仪等对涂层的透光率、热稳定性、阻燃性能进行测试。结果表明:SiO2/Zn2SnO4/EA涂层的综合性能较佳,当SiO2/Zn2SnO4质量分数为4.85%时,该涂层的热稳定性及阻燃性能最佳,其极限氧指数、燃烧级别、残炭率(500℃下马弗炉煅烧)和硬度分别为31、V-0、17.32 % 及6H。 相似文献
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为解决能源短缺和环境污染等问题,探究半导体光催化材料去除有机污染物,以MIL-125(Ti)为光催化剂载体,g-C3N4为有机半导体,Fe3O4@SiO2为磁性载体,通过溶剂热法合成了一系列不同质量配比的可见光响应型MIL-125(Ti)复合材料。通过傅里叶变换红外光谱仪、X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、热重分析仪等对复合材料的样品组成、结构、形貌及光学性能等进行表征分析。进一步通过正交试验评价该复合材料去除罗丹明B的性能。研究结果表明,最适宜去除罗丹明B的操作工艺条件为:光催化时间为4.0h,g-C3N4与MIL-125(Ti)的质量配比为1∶20,催化剂投加量为0.01g,罗丹明B溶液的浓度为10.0mg/L。在该条件下罗丹明B的去除率可达到96.57%。经过4次循环实验后,去除率仍能达到86.52%。g-C3N4/MIL-125(Ti)磁性复合材料的制备工艺和去除有机染料机理可为相关研究提供借鉴。 相似文献
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以1-乙烯基咪唑和不同的溴代烷烃(1-溴乙烷、1-溴丙烷、1-溴丁烷)为原料,通过N-烷基化反应制备出溴化1-乙烯基-3-烷基咪唑类离子液体([VAIM]Br),即:溴化1-乙烯基3-乙基咪唑([VEIM]Br),溴化1-乙烯基-3-正丙基咪唑([VPIM]Br),溴化1-乙烯基-3-正丁基咪唑([VBIM]Br)。将[VAIM]Br离子液体、丙烯酸胺、丙烯酸与环氧丙烯酸酯(EA)复合,经UV光固化制备了3种阻燃涂层([VEIM]Br/EA、[VPIM]Br/EA、[VBIM]Br/EA),并通过红外、紫外、极限氧指数仪、垂直燃烧仪及力学性能测定仪等手段对样品的性能进行表征。结果表明:[VBIM]Br/EA涂层综合性能较佳,当[VBIM]Br添加量为3. 5 g时,涂层的阻燃性能最佳。此时涂层的极限氧指数为32、燃烧级别V-0、残炭率35. 2%(500℃下马弗炉煅烧)和硬度为6H,且涂层具有较高的透光性,可见光区域(500~800 nm)内,其透过率为88%~91%。 相似文献
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超声波强化硫脲提金的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了用超声波强化硫脲提金的浸出工艺,与常规的浸出比较,结果发现用超声波能强化浸出过程:不仅大大缩短了浸出时间,提高了浸出率,减少溶剂消耗;而且可降低浸出过程的表观活化能。 相似文献
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为了提高石墨相氮化碳去除亚甲基蓝的性能,以葡萄糖为碳源、醋酸铵为结构导向剂,采用水热法制备了碳/石墨相氮化碳复合材料。利用红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等手段对复合材料的结构、组成、形貌及其性能进行了表征,并进一步以亚甲基蓝为目标污染物,采用正交实验L9(34)考察了不同因素对复合材料去除亚甲基蓝的影响。实验结果表明:在光照时间为20 h、溶液体系pH为7.00、复合材料投加量为0.15 g、碳与石墨相氮化碳质量比为5∶10条件下,复合材料对亚甲基蓝的去除率可达95.46%,循环5次后仍可达到88.17%。碳掺杂提高了石墨相氮化碳对亚甲基蓝的去除性能,这为印染废水的处理研究提供了借鉴。 相似文献
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为了制备具有良好加工性能和高荧光强度的8-羟基喹啉(8-OQ)类有机光致发光材料,以铝基蒙脱土(MMT)中的Al(Ⅲ)为配位中心、8-OQ为配体合成了高荧光性8-OQ插层MMT(FS-MMT),并将其与环氧丙烯酸酯(EA)复合,采用UV固化法制备了高荧光性FS-MMT/EA涂层。采用红外、X射线衍射、紫外-可见光吸收光谱及分子荧光谱仪表征了FSMMT,并研究了FS-MMT/EA涂层的吸收及荧光光谱行为。结果表明,成功制备了FS-MMT,其紫外-可见光吸收光谱分析表明8-OQ与MMT上的Al(Ⅲ)发生配位作用;而荧光强度较Alq3显著增强。而FS-MMT/EA涂层的荧光发射峰出现在490 nm附近,较FS-MMT的发生了蓝移;同时荧光强度随FS-MMT含量增加而增强,且较FS-MMT的有明显升高。 相似文献
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