钛酸锶缺隐化学研究进展

综述了未掺杂及掺杂钛酸锶的缺陷，钛锶比的影响以及钛酸锶的缺陷化学热力学等方面的研究进展。     

Sol-gel自蔓延燃烧制备CaCu3Ti4O12纳米粉体及其介电性能研究

以硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯、冰乙酸和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧反应成功地制备了平均粒径为60～80nm的CaCu3Ti4O12纳米粉体.采用XRD、TEM和IR对纳米粉体的结构、形貌和光谱特性进行了分析和表征,并借助TG-DSC研究了干凝胶的自蔓延特性和晶化过程.采用传统烧结工艺制备了陶瓷,测得其在室温、lkHz时的介电常数为6×104.     

Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

增强工会干部的非权力性影响力

在发展社会主义市场经济,促进企业改革、发展和稳定中,工会干部需要做的工作很多。其中之一,就是要努力提高自身素质,树立良好的形象,增强非权力性影响力。 影响力可分为权力性影响力和非权力性影响力两种类型。权力性影响力,具有强制性。而非权力性影响力很大程度上属于自然性影响力,它主要由一个人的品质、学识、技能、经济等特长和有关行为构     

掺SrLi1／4Nb3／4O3的SrTiO3缺陷化学研究

利用Ｈ２／Ｈ２Ｏ体系获得不同的氧分压,上电极法 掺杂ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３的ＳｒＴｉＯ３瓷体在８００－１２００℃,Ｐｏ２＝１０＾１７－１０＾５Ｐａ的电导率。通过ｌｏｇＰｏ２－ｌｏｇσ图,计算出半导化活化焓约为２８７．７ｋＪ／ｍｏｌ,讨论了ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３掺杂的ＳｒＴｉＯ３在不同氧分压区域的主ｎ型半导体化向ｐ型半导化转变的特点。     

TiO2薄膜的制备及光催化性能研究

采用溶胶－凝胶法在玻璃衬底上制备了均匀透明牢固的TiO2光催化薄膜,利用XRD、SEM分光光度计及椭圆偏光测厚仪对薄膜进行了分析。利用光催化降解乙醛气体实验研究了TiO2薄膜的光催化活性。结果表明膜的特性及孔隙度同水解条件密切相关。孔隙度及薄膜厚度对催化活性有大的影响。     

钛酸锶缺陷化学研究进展

综述了未掺杂及掺杂钛酸锶的缺陷、钛锶比的影响以及钛酸锶的缺陷化学热力学等方面的研究进展。     

La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷热敏机理研究

液相掺杂施主元素La，在1100－1200℃烧结制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR－PTCR复合效应，其室温电阻率随烧结温度提高而增大；而添加少量PbO用于补偿铅损失，则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD，SEM和TEM分别对陶瓷的相结构，形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果，探讨了La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷

在 Y 掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量 PbO、SiO_2、ZrO_2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约 120℃)以上具有强的 PTC 效应,升阻比接近 5 个数量级。其中,SiO_2或 ZrO_2增强了居里点以下的 NTC 效应,降阻比可达 1个数量级;而少量 PbO 则降低了陶瓷的室温电阻率和 NTC 效应。通过热处理可以使热敏特性由 PTC 型向 NTC-PTC复合型转变,表明 NTC 效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷。