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多孔氮化硅陶瓷材料因其能够充分发挥氮化硅陶瓷和多孔陶瓷两者的优异性能,广泛应用于机械、化工、海洋工程、航空航天等重要领域。制备孔隙率和孔隙结构可控、高强度、低介电常数的氮化硅多孔陶瓷是实现其应用的关键。本文在检索了大量国内专利文献的基础上,对氮化硅多孔陶瓷制备技术信息进行统计和分析,并对其未来技术发展进行了预测。 相似文献
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利用光纤激光毛化系统对轧辊进行了毛化试验,研究了激光毛化参数对毛化点阵和粗糙度的影响,并尝试开发了激光无序毛化工艺。研究结果表明,激光有序毛化工艺条件下,毛化点尺寸、形态一致,呈现火山口形貌。激光功率、脉冲频率和脉冲占空比对毛化点尺寸有较大的影响,而激光功率、脉冲占空比和侧吹气体流量对毛化粗糙度具有明显的作用。采用脉冲频率调制的方式实现了光纤激光无序毛化工艺。无序毛化后,冷轧线工作辊表面粗糙度约为2.2μm,毛化峰值密度在75cm-1以上;镀锌线光整机工作辊粗糙度约为3.2μm,毛化峰值密度在85cm-1以上,平均峰值密度达到了95cm-1。所开发的激光无序毛化工艺已应用于实际生产。 相似文献
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镶嵌在CaF2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发CaF2介质,将Cu团簇包埋在CaF2介质中,团簇大小可通过改变溅射气压控制,用TEM研究了嵌埋团簇的结构,分析结果表明:Cu团簇呈三角状多晶结构,团簇大小为10 ̄70nm,基质CaF2晶体也为多晶结构,Cu团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀,膨胀率大约在16%左右。 相似文献
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纳米金属颗粒—绝缘体膜制备的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇,同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒-绝缘体包埋团簇的设备,并利用该设备成功地制备出了Cu:CaF2和Ti:CaF2等金属颗粒膜。该设备适应性广,可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在10nm-70nm之间,为多晶结构;基质CaF2也为多晶。 相似文献
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利用溅射-气体-聚集-共沉积法,分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Cu团簇嵌埋在CaF2介质中的Cu/CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析表明,样品为多晶结构;样品的分光光谱仪测量和光Kerr响应表明,Cu金属的表面等离子体共振吸收频率明显依赖于样品中Cu团簇的大小,随着团簇尺寸的减小,榈共振吸收峰发生红移;并且在吸收峰位附近,表现出较大的第三级非线性系数。 相似文献