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相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在高B值,高电导率的NTC热敏材料中,X-ray衍射,XPS分析表明有三相:NiM2O4,CuMn2O4和Mn3O4组成。三相之间比例的相对变化对共电导率有较大影响,B值的变化主要来自相界势垒的贡献。 相似文献
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通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。 相似文献
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采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。 相似文献
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如果说铁电薄膜材料是电子信息领域的一艘航船,那么纳米科技则为这艘船扬起了风帆,推动它驶向更远更新的领域。近期,我刊有幸采访了长期致力于纳米铁电薄膜研究的同济大学翟继卫教授,访谈中我们了解到翟教授所带领的团队在该领域的最新研究动向,以及纳米技术在铁电薄膜方面的应用与发展。[第一段] 相似文献
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采用溶胶-凝胶方法在普通的载玻片上制备了CdS微晶掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料,比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明,薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Z-Scan技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。 相似文献
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开发具有优异综合储能特性的无铅陶瓷电容器是脉冲功率技术领域的迫切需求。相较于其他无铅储能陶瓷体系,Na Nb O3(NN)陶瓷具有结构相变丰富、理论密度低、电学可调性强、轻量化发展潜力大等显著优点,因而备受关注,成为当前的研究热点。基于降低容忍因子稳定反铁电相和增强陶瓷弛豫性的策略,开展了NN基弛豫反铁电陶瓷的制备与储能特性研究。通过引入BiFeO3和Sr(Ti0.85Zr0.15)O3成功制备了0.9[0.9NaNbO3-0.1BiFeO3]-0.1Sr(Ti0.85Zr0.15)O3陶瓷,相较于纯NN陶瓷(0.14 J/cm3、6.39%)和0.9NaNbO3-0.1BiFeO3陶瓷(3.55 J/cm3和70.61%),其储能特性显著提升,储能密度(Wrec 相似文献
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高度取向ZnO薄膜的介电和光波导特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用溶胶凝胶法在不同的基片上制备了具有高度 c 轴即(002)取向的 Zn O 薄膜,研究了溶剂、稳定剂等对合成的先体溶液的影响。对薄膜的 X R D 分析表明随热处理温度的增加,c 轴取向度增大,并且薄膜的晶粒尺寸在 300 ° C~500 ° C 范围内增幅较大。用端面耦合的方法测量了制备在 Si O2/ Si(111)基片上薄膜的波导损耗,即随热处理温度的增加,波导损耗增大,主要来源于 Zn O 薄膜与 Si O2 的界面及晶粒的散射。制备在 Pt/ Si O2/ Si(111)基片上薄膜的相对介电常数为 7~13,电阻率则为 1.7×104 Ω·cm ~9.8×105 Ω·cm 。 相似文献