Ar离子辐照PET膜引起的表面结构和组分变化研究

用35MeV/u的Ar离子室温下辐照多层堆叠的半晶质的聚酯（PET）膜,采用X射线衍射技术和X射线光电子谱仪分析研究了辐照引起的表面结构和组分的变化。结果表明：Ar离子辐照PET膜引起了明显的非晶化转变和化学键断裂、断裂主要发生在甲氧基和羰基功能团上,并使这两个功能团中的C和O的比分相对减少。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和离子在样品表面的电子能量损失、剂量越高,表面电子能量损失越大,效应就明显。同时定性地讨论了结果。     

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因．如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成;但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化,预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成．与慢速退火工艺相比,快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成．离子注入的C原子在空间分布不均匀,退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域．     

双剪强度准则在Mohr应力空间中的表述

对双剪强度理论进行了包络分析,在此基础上给出并讨论了材料剪切破裂面方位的变化规律,并与一些著名试验结果进行了对比分析。研究表明：双剪强度理论的包络线在轴上截距随着中间主应力σ2的变化而变化。由于双剪强度理论分为两段表达,所以对应着两族包络线和两个破裂角,从而在不同的条件下有不同的破裂角,但其大小随中间主应力σ2的变化与试验一致。     

发动机工作叶片聚氨酯层脱落原因及工艺优化

发动机工厂试车后分解故检,发现低压工作叶片聚氨酯层沿底漆和金属基体界面出现不同程度的分离现象;查看前期长试后的2台发动机,发现该叶片聚氨酯层也有不同程度的损伤,甚至脱落.聚氨酯层包含3层结构:底层涂底漆、中间层填充聚氨酯、顶层铺放锦丝绸,涂底漆前基体为湿吹砂表面.从聚氨酯层用原材料、聚氨酯配制过程、加工过程进行分析,经...     

ICF靶用纳米厚金属薄膜中超声波的激光激励

简要介绍了激光超声和干涉仪检测原理,实现了一个激光超声实验。实验中,用调Q Nd:YAG固体激光器在超薄薄膜200 nm Al/Au/Ag中激励高频超声,用迈克尔逊干涉仪对超声进行了检测,对获得的信号进行傅里叶变换,获得了激励的振动频率。3种薄膜中产生的单一频率的超声振动分别为32.36、26.17和29.39 MHz。本工作对纳米薄膜的超声检测有一定的参考和借鉴作用。     

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速     

含氟橡胶的研究进展及在航空发动机中的应用

综述了含氟橡胶材料的研究进展和其在航空发动机领域的应用现状。对比了氟橡胶、氟醚橡胶、全氟醚橡胶和氟硅橡胶的耐介质、耐热和低温性能,论述了常用含氟橡胶牌号的适用工况和在航空发动机上的典型应用。指出研发高性能含氟橡胶新品种、构建含氟橡胶标准体系、累积疲劳、老化、寿命等性能数据、健全考核验证方法和充分贯彻适航要求是未来航空发动机含氟橡胶材料和制品的发展方向。     

高能Ar离子辐照PET膜引起的表面改性研究

采用傅立叶转换的红外光吸收技术在反射方式下分析研究了35MeV/u Ar离子辐照半晶质PET膜引起的表面改性及其对吸收剂量的依赖性。结果表明，辐照导致PET膜中与晶态区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加普遍减弱，而与非晶区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加逐渐增加，表明辐照使PET膜发生了非晶化转变。化学键断裂主要发生在苯环的对位和酯的C－O键上，而苯环的基本结构在整个辐照过程中变化较小。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和样品表面的电子能量沉积。此外，在约5．0MGy以上的吸收剂量，辐照还引起了炔端基团的形成，炔端基团浓度随吸收剂量的增加显著增加。对实验结果进行了定性解释。     

微米柱阵列ICF埋点靶的制备

微米柱阵列埋点靶是研究超短激光辐照靶激光吸收效率和等离子体产生过程及发展的1种重要靶型。本文结合采用电子束刻蚀、X射线刻蚀和微电镀等制备金微米点阵列,用CVD方法对阵列间隙填充无应力CH薄膜,用SEM、AFM与白光干涉仪等对制作过程和结果样品进行检测。结果表明,用电子束刻蚀方法制作的掩膜分辨率好、边缘光滑。用同步辐射的X光制作高质量样品,样品点柱高宽比为4,垂直度近于90°,点柱阵列周期为2×2μm,CH层厚约4μm。