钛酸锶钡薄膜中微观结构缺陷及其形成机理

采用脉冲激光沉积方法,在(001)单晶铝酸镧(LaAlO3)衬底上成功制备出钛酸锶钡(Ba0.75Sr0.25TiO3)外延薄膜.利用高分辨电子显微学对其微观结构进行了详细研究,并探讨了其微观结构缺陷的形成机理.研究发现,在钛酸锶钡外延薄膜中存在失配位错和穿透位错,且存在直线型和锯齿型的两种反相畴界.失配位错是由于钛酸锶钡薄膜与LaAlO3单晶衬底之间存在较大的晶格失配形成的,可分解为不全位错;穿透位错可以分解为不全位错伴随有堆垛层错的形成.反相畴界的形成是由于衬底表面存在台阶,直线型反向畴界是由于形核点离台阶处较近产生的,而锯齿型反向畴界是由于形核点离台阶处较远而形成.研究结果可为其它钙钛矿型外延薄膜中微观结构缺陷的形成机理提供理论指导.     

沼液培养对小球藻的生长与生化组分的影响

本文对小球藻在牛粪厌氧发酵的沼液中生长模型和成分(蛋白质,脂肪,脂和脂肪酸组成成分)以及沼液浓度对小球藻中营养物质的去除率进行了研究。结果表明,对于不同稀释(2、10、100、1000)倍数的牛粪厌氧消化沼液,稀释倍数越高,小球藻的生长速率越慢。然而,在稀释2倍的牛粪沼液中,小球藻在培养初期停止生长。利用修正的Gompertz模型对小球藻在不同牛粪浓度下的生长特点做了很好的预测(R~20.837)。在稀释倍数为10、100、1000的牛粪沼液中,硝酸盐的去除率分别为75.6%、22.8%和100%。蛋白含量分别提高了29.4%、27.6%和31.4%。然而总脂肪酸含量随稀释倍数的增加而减小,由22.2%降到了17.9%。此外,在沼液培养的小球藻中,还发现了C16:0、C18:0、C18:1以及C18:2的脂肪酸组成。     

超高分子量聚乙烯磨粒磨损性能及机理的研究

本文利用ＭＬＳ－２３胶轮磨损试验机对超高分子量聚乙烯（ＵｌｔｒａＨｉｇｈＭｏｌｅｃｕｌａｒＷｅｉｇｈｔＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）的磨粒磨损进行了研究，考察了磨损圈数（磨损时间）载荷对其耐磨性的影响，通过扫描电子显微镜（Ｓ６００）对其磨损表面形貌的观察，作者指出，超高分子量聚乙烯磨粒磨损的主要机理是犁耕和亚表层生断裂。     

高聚物磨损研究的近况

随着高分子材料的应用日益广泛，其磨损现象越来越受到重视。本文综述了近年来国内外学者在高分子材料磨损方面的研究工作。着重阐述了滑动磨损，磨料磨损，冲蚀磨损的研究进展。     

超高分子量聚乙烯的冲蚀磨损

用气流喷砂到冲依试验装置测试了超高分子量聚乙烯（UltraHighMolecularWeightPolyethylen）的冲蚀磨损佳能．考察了冲蚀粒子的入射角、速度、粒子的硬度对冲蚀磨损的影响．用扫描电子显微镜观察冲蚀后报表面形统指出：在高角冲蚀时，摩根机理主要为塑性变形和显微裂纹；在低角冲蚀时，磨损机理主要为显微切削和显微犁耕．冲蚀磨损机理与冲蚀粒子有关．     

分形理论在材料磨损表面分析中的应用

随着分形理论的完善与发展，其在材料科学中的应用日益广泛。在材料的磨损中，分形理论也显示出其优越性。本文主要综述了分形理论在材料磨损表面分析中的应用。     

Cu_2O及Au/Cu_2O核壳异质结纳米立方体的制备、微观结构和生长机理的研究

采用液相还原法制备出金纳米颗粒,并通过调控其浓度,采用热氧化的方法制备出了氧化亚铜纳米立方体及金/氧化亚铜核壳异质结纳米立方体。利用透射电子显微学对两种材料的结构及物相组成等进行了详细的分析研究,并探讨了各自的形成机理。研究发现Cu2O纳米立方体主要有正方体和截角正八面体两种几何形状。Au/Cu2O核壳异质结纳米立方体有两种形成机制。Au纳米颗粒和正四辛基溴化铵的浓度对于两种纳米立方体结构的形成起着重要的作用。     

超高分子量聚乙烯磨粒磨损性能及机理的研究

本文利用ＭＬＳ－２３胶轮磨损试验机对超高分子量聚乙烯（ＵｌｔｒａＨｉｇｈＭｏｌｅｃｕｌａｒＷｅｉｇｈｔＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）的磨粒磨损性能进行了研究。考察了磨损圈数（磨损时间）、载荷对其耐磨性的影响。通过扫描电子显微镜（Ｓ６００）对其磨损表面形貌的观察，作者指出：超高分子量聚乙烯磨粒磨损的主要机理是犁耕和亚表层脆性断裂。     

超高分子量聚乙烯的滑动磨损性能与机理研究

用ＭＭ２００型磨损试验机测试了超高分子量聚乙烯（ｕｌｔｒａｈｉｇｈｍｏｌｅｃｕｌａｒｗｅｉｇｈｔｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）的滑动磨损性能,考察了滑动速度与载荷对其磨损的影响,通过扫描电子显微镜对ＵＨＭＷＰＥ磨损表面形貌的观察,指出：在跑合期阶段,ＵＨＭＷＰＥ表面形成了一系列的脊;在严重磨损阶段,表面层发生了大范围的撕裂与断裂。热效应对其磨损的影响由ＰＥＤＳＣ７检测     

硅纳米晶微观结构缺陷的高分辨电子显微学研究

利用离子注入结合后续高温退火的方法成功地制备出包埋在二氧化硅(SiO_2)基质中的硅纳米晶.利用透射电子显微学对所制备的硅纳米晶(离子注入浓度为3×10~(17)cm~(-2))的微观结构缺陷进行了详细的研究.通过高分辨像分析发现:较大的纳米晶(直径＞6nm)中存在很多面缺陷,主要为孪晶与层错.孪晶包括一次孪晶、二重孪晶、三重孪晶及五重孪晶.层错分为内禀和外禀两种类型,并讨论了内禀层错占多数的原因.除了面缺陷以外,还有一部分纳米晶中存在位错.