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曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用. 相似文献
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