肉桂特色资源加工利用产业发展现状

肉桂是我国特色经济林树种,我国肉桂种植面积和年产量均居世界首位。我国肉桂主要分布在两广地区,其中广西为14.9万hm²,广东为8.9万hm²,两地面积占全国肉桂分布总面积的95%以上。肉桂既是著名的香料又是传统的名贵中药,具有极高的经济价值,发展肉桂产业对于促进农民增收、维护健康中国有着重要的意义。本研究综述了肉桂资源量、分布情况及主要利用部位,介绍肉桂主要产品（如桂皮,桂枝,肉桂粉及肉桂油）及加工技术现状、产品质量控制及其分析检测方法,分析了产业未来的发展趋势,并提出了产业发展的对策和措施：加强肉桂标准化示范基地建设,提高优质资源供给能力;提高肉桂加工利用技术水平,延长产业链;培育肉桂龙头企业,提高产品市场竞争力。为我国肉桂特色资源加工利用产业的可持续发展提供一定的思路。     

低电压等级线路配置纵联保护的探索与应用

针对某电厂35 kV低电压等级线路保护存在的问题,从短路计算、保护配置、装置选型等进行了技术探讨,详细分析了保护装置改造的必要性,最终组织实施该线路保护改造,有效解决了该线路保护无灵敏度和速动性不能满足要求的问题,为存在类似问题的低电压等级线路配置纵联保护提供有益借鉴。     

医学工程师在医疗器械维修工作中的作用

在现代医疗体系中,医疗器械的作用日益凸显,其器械高效运作对确保患者治疗的质量和安全至关重要。然而,医疗设备的高度复杂性和不断提高的技术要求使其维护和维修工作变得极其复杂。在这种背景下,医疗工程师不仅需要有深厚的技术知识和实践经验,还需要不断适应技术的发展和变化,以确保医疗器械在关键时刻能够发挥出最佳性能。探讨了医学工程师在医疗器械维修工作中的具体职责和贡献,并提出医学工程师在医疗器械维修工作中的强化策略,旨在推动医疗服务质量,更好地理解和优化医疗器械的维护工作,在保障患者安全和提高治疗效果方面发挥关键作用。     

无定型SiO2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究

利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利用紫外-可见(UV-VIS)吸收光谱、PL光谱以及能级结构分析,我们认为,纳米ZnO随尺度下降所产生的发光增强来源于无定形SiO2所抑制的ZnO表面非辐射跃迁过程以及二者之间的再吸收过程;此外,纳米ZnO尺度的下降,使得其表面的光生电子和晶格内部的O空位(Vo)之间的距离减小,提高了辐射跃迁的几率也是获得高荧光效率的可能原因。     

RT10、RT11系列熔断器

RT10、RT11系列有填料封闭管式熔断器(以下简称熔断器)是为满足出口负荷开关配套的需要而设计的。统一设计组由宁波开关厂、闽清电瓷厂和一机部上海电器科学研究所组成。在1975年12月和1977年4月分别对这两个系列的熔断器进行了鉴定。鉴     

基于DSP的实时PCR仪温度控制系统研制

为小型实时聚合酶链式反应(PCR)仪研制一种基于数字信号处理器(DSP)芯片TMS320F2812的温度控制系统。由DSP产生的脉冲宽度调制(PWM)波经功率放大电路驱动半导体加热制冷片以Pt100作为温度传感器构建一种消除非线性误差的电桥传感电路,将温度信号转换为电压信号,电压信号送入DSP的A/D转换模块,同时进行位置式PID算法,然后调节PWM波的占空比,使整个系统对温度信号达到闭环控制。实验结果表明:系统的升降温速率能达到4℃/s,精度为0.2℃。     

八角特色资源加工利用产业发展现状

八角是我国特色天然植物资源,广泛用于香精香料、食品和医药领域。综述了八角资源量、分布情况及利用部位：世界上85%以上的八角资源产自中国的广西和云南,全国八角种植总面积47.27万公顷,八角干果年均产量约20.69万t,以果实和枝叶利用为主。介绍了八角干果、茴油等初级产品和八角油树脂、茴脑、草蒿脑、莽草酸、茴香醛等深加工产品,以及其加工工艺、质量要求和检测方法。分析了干果加工、茴油提取、精深加工和其他高价值有效成分提取等八角加工利用产业的发展现状、趋势,指出目前八角加工利用产业存在以干果原料直接食用为主、深加工利用比例很少、精深加工技术和新产品开发严重滞后等问题,并提出未来八角加工利用产业的建议与对策：提升精深加工技术、扩大新产品开发和拓宽产品应用面。     

数字化 开启“适宜”之门——深圳市宝安区西乡人民医院信息化建设评述

在与六家大医院和众多社会医疗机构同台竞争中，定位社区的西乡医院却打出了一手好牌：2006年，门诊总诊疗人次150万，住院2万人次，业务收入2．2亿元。[编者按]     

前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比对PbS纳米晶红外发光光谱的影响

采用水溶性前驱物在乙醇介质中制备了不同[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的PbS纳米晶,利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、紫外-可见吸收光谱（Abs）、光致发光谱（PL）对所制备PbS纳米晶的晶体结构、纳米晶粒径、形貌以及能带结构和发光特性进行了表征,结果表明:随着前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的提高,PbS纳米晶颗粒尺寸从3.9 nm增大到5.9 nm,发光峰值位置从1 009 nm移动到1 486 nm。通过拟合[S2-]/[Pb2+]=0.5条件下PbS纳米晶平均粒径对时间变化曲线,发现该方法下PbS纳米晶所经历的生长机制为Ostwald成熟化。运用经典纳米晶扩散控制生长模型,解释了实验中随着[S2-]/[Pb2+]的提高对溶液中纳米晶生长速率的影响。     

基于ZnS/SiO2量子点的EL器件及宽谱发射

将ZnS/SiO2量子点与PVP在甲醇溶液中充分混合作为活性层材料,通过匀胶方法制备了ITO//ZnS/SiO2∶PVP//Al结构的电致发光(EL)薄膜器件。器件的EL光谱由510～560nm波段的绿光发射和相对较弱的蓝紫光(400nm左右)发射组成,通过对发光光谱的分析发现,上述两个区域的发射均来自ZnS的缺陷能级。其中,绿色发光峰来源于较低能态的缺陷能级;而高能区域的蓝色发光则是由于高能态的缺陷能级俘获电子的几率增大,在这过程中,PVP形成的能级阶梯有效增加了高能态缺陷能级俘获电子的几率,提升了高能波段的发光效率,相应地,器件的色坐标也随之从(0.37,0.42)变化到(0.30,0.34),趋于白光发射。