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钛宝石晶体中的位错以及退火对位错的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
用化学腐蚀剂腐蚀出样品的 (0 0 0 1)表面上的位错蚀坑 ,在原生态和退火样品的对应径向线上测量了位错腐蚀坑的密度分布 .由位错腐蚀坑的形成理论确定出原生态晶体中很可能有 3种位错类型 ,即Burgers矢量b =13〈112 0〉 ,13〈110 1〉和〈10 10〉的位错线 ,然而长时间在还原性高温气氛中的退火难以降低晶体中的总的位错密度 .在晶体的放肩至等径生长阶段 ,沿着晶体的生长方向 ,晶体棒中心的位错密度由高变低 ,这显示出 :在晶体的放肩至等径生长的转变过程中 ,生长界面发生了翻转 ,由凹形界面转变为凸形界面 ,位错线随之从晶体棒的中心向边缘发散 . 相似文献
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纳米粉体Y2O3:Ti 3+ , Eu3+的光谱性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用共沉淀法在氮氢气氛中制备出Y2O 3:Ti 3+, Eu 3+纳米粉体,测量了它的XRD、激发与发射光谱,观测了形貌。通过与Y2O 3:Ti 3+纳米粉体的光谱比较分析,发现Y2O 3中的Ti 3+至Eu3+存在能量传递,以致紫外至蓝光区域的光,均能使Eu3+经5D0→7F2等跃迁通道发射出610nm左右的荧光,于是增强了粉体在红橙光区发光的比重,因此可以调节粉体的发光性能。Y2O 3:Ti 3+纳米粉体的吸收带从紫外延伸到蓝光区,强荧光带覆盖了整个可见光区,这预示它有望成为新一代白光LED或汞灯的光转换荧光粉。 相似文献
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