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本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平. 相似文献
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器件表面钝化层对脉冲激光等效重离子LET值的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
介绍了激光模拟单粒子效应实验中,脉冲激光能量等效重离子线性能量传输(LET)值的理论计算方法,分析了器件表面钝化层对脉冲激光能量和重离子LET等效性计算的影响。受SiO2钝化层的调制,进入Si衬底的脉冲激光能量只占入射到器件表面激光能量的21.6%~16.1%。如果器件表面的钝化层厚度已知,且不考虑非线性效应,就可以利用激光强度透射率函数,算出更精确的脉冲激光能量等效重离子LET值。理论计算结果与相关文献报道的重离子LET值非常接近。 相似文献
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空间单粒子锁定及防护技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。 相似文献
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