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本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型. 相似文献
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水热法合成高发光强度ZnS:Cu,Al纳米荧光粉研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用水热法直接合成了高发光强度的ZnS:Cu,Al纳米荧光粉.XRD和TEM测试结果表明,合成纳米晶为纯立方相结构,球形纳米晶尺寸约15nm,尺寸分布窄,分散性好.首次系统地研究了不同[S2-]/[Zn2+]和[Al3+]/[Cu2+]比值对清洗样品和不清洗样品的光致发光(PL)光谱的影响.实验结果表明,激活剂浓度不变而改变[S2-]/[Zn2+]摩尔比时,发光强度显著变化,同时未清洗样品的PL强度均比清洗样品的强,且未清洗样品强度增强的比值在低的[S2+]/[Zn2+]时更显著.这说明其发光机理为紫外光激发材料表面的发光中心,即PL强度决定于纳米材料的表面态,此外掺杂的激活剂摩尔比同样对PL光谱有影响.在我们的实验中,用343nm紫外光激发时,n[S2-]:n[Zn2+]=3,n[Al3]:n[Cu2+]=2时未清洗样品的发光最强,此时于室内照明条件下可观察到明亮的绿光. 相似文献
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将硝酸钇铕和较便宜的水溶性含硫燃烧剂溶于乙醇-水溶液,通过新的乙醇辅助燃烧法合成了一次粒径约20nm的硫氧化钇(Y2O2S:Eu)发光材料。研究结果表明:采用硫代乙酰胺作为燃烧剂时,燃烧反应产物为Y2O2S:Eu及微量的Y2O3:Eu。而采用硫脲作为燃烧剂,燃烧反应产物为Y2O3:Eu,Y2O2S:Eu和/或Y2O2SO4:Eu的混合物。利用Eu^3+离子的。D0→Fi.跃迁导致的红色发光作为荧光探针,根据其在Y2O3(λem=610nm),Y2O2S(λem1=625nm,λem2=615nm),Y2O2SO4(λem1=613,λem2=615nm)基质中的光致发光光谱和X射线发光光谱位置和强度不同,来确定生成物中Y2O3:Eu,Y2O2S:Eu,Y2O2SO4:Eu物相的组成。 相似文献
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以EDTA为螯合剂、尿素为沉淀剂,采用络合沉淀法制备了Y2O2S:Tb纳米X射线发光粉.通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和X射线激发发光(XEL)光谱对纳米发光粉进行了表征,并研究了纳米晶的发光性能及Tb3+离子的能量传递过程.研究表明:所制备样品显示了单一的六角结构,其一次粒径约为32 nm.在254 nm紫外光和X射线激发下,Y2O2S:Tb X射线发光粉都显示了Tb3+离子的特征发射峰,分别起源于5D3和5D4能级到基态能级的跃迁. 相似文献
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Preparation of Nano Y_2O_2S∶Eu Phosphor by Ethanol Assisted Combustion Synthesis Method 总被引:1,自引:0,他引:1
Rareearthoxysulfidematerialsexhibithighlumi nescentefficiencyaswellasexcellentchemicalstabili ty.Thesematerialsarewidelyusedasluminescent hostmaterialsofseveralcommerciallyavailablephos phorssuchasredemittingphosphorsforcolortelevi sionpicturetube,X rayphosphors[1],andlongafter glowpigments[2].Thereexistseveralmethodsinpre paringrareearthoxysulfides:(1)Traditionalsulfide fusionmethod,i.e.sulfurationofrareearthoxidein theflux(Na2CO3K2CO3K3PO4)athighte mperature[3,4],whichiswidelyemployedona… 相似文献
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The sharp luminescent peaks in Yb and Er-implanted InP,SI-InP,GaAs,and n-GaAs were observed at77K.The peaks at 1.0 and 1.5μm come from(4f)~2F_(5/2)→~2F_(7/2)of Yb~(3 )and ~4I_(13/2)→~4I_(15/2)of Er~(3 ),respectively.The optimum luminescent intensities can be obtained from Yb-implanted and Er-implanted sam-ples which were annealed at 800 and 750℃,respectively.A ccording to the analyses of PL and the rocking curveof X-ray double crystal diffraction,the best crystal structure of implanted InP layer has been obtained by an-nealing at 850℃.The interaction between Yb~(3 )and Er~(3 )in the SI-InP has been investigated for the first time.The quenching effect of Yb~(3 )and Er~(3 )with each other has been observed when the doses of Yb and Er-im-planted SI-InP are equal. 相似文献
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锐钛矿相TiO2纳米薄膜的制备及光致发光研究 总被引:6,自引:1,他引:5
以钛酸四丁酯ETi(O-BU)4]为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了锐钛矿相TiO2纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱分别对不同烧结温度和不同手段(旋转涂敷法与一次摊涂法)制备的TiO2薄膜进行了表征。XRD分析表明TiO2薄膜的锐钛矿相(101)面上具有一定的择优取向。PL分析表明,在室温下,当用260nm激发TiO2薄膜时,在370~500nm范围内呈现出很宽的发光带,其对应着不同的发光中心;此外用545nm激发TiO2薄膜时,在近红外区域内818nm附近处展示出半高宽较宽且强度较强的发光峰。 相似文献
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