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介电常数、介质角正切对PCB特性阻抗的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
数字信息的处理、传输都面临着高速化的问题,适合于这方面应用的材料必须有高的特性阻抗也即低的介电常数和介质损耗,本文研究了影响介电常数及介质角正切的几种因素。这种研究对PCB行业和生产厂家生产高质量、大特性阻抗PCB具有重要的理论价值和实际应用价值。 相似文献
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采用基于网格布点得到实测数据的基础上,应用基于Matlab神经网络工具箱的信息处理技术对实测数据进行主成分分析、模糊聚类和自组织竞争学习,经过仿真与优化,将各组数据进行合理归类并组合,从而达到为环境工作者准确实施优化控制和对环境质量进行可靠预测的目的。 相似文献
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当用Arps产量递减方程来评价非常规气藏时,其递减特征用Arps递减指数b表示。Arps方程中指数b的定义域为0到1.0之间。然而,实际中,非常规气藏生产数据常表现出较长的非稳态期,且递减指数b的值会远大于1.0(特别是在非稳态渗流期)。而在早期的不稳态渗流时期,很难得到准确的b值——如果b值算不准将会对气藏评价造成巨大的影响。由致密气藏实例计算知,应用双曲递减模型仅能拟合部分生产历史而且预测的可采储量过高。这说明,使用双曲递减模型对致密气藏进行可采储量评价显然不太可靠。本文对Arps双曲递减关系式进行了发展并推导出一种新的"幂率指数递减率"产量递减关系式,这种模型比之双曲递减模型更具一般性,对页岩气、致密气藏生产数据拟合效果更好。 相似文献
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现代社会对半导体芯片具有旺盛的需求,而4H型碳化硅(4H-SiC)功率器件是下一代半导体芯片中极具潜力的候选者,可应用于各种电力电子系统.为了提高4H-SiC功率器件的性能,本文提出了一种具有三维(3D)p型埋层(PBL)的超高压(UHV)4H-SiC混合p型/本征/n型(PiN)肖特基(MPS)(3D-PBL MPS... 相似文献
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本文对负载频率控制器实施了最优控制并进行了仿真研究,这种工作对提高整个电力系统的运行可靠性和稳定性是非常有意义的。 相似文献
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本文结合出一种温度控制变结构系统滑模开关线的选择方法,结果表明该方法是行之有效的。 相似文献
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"自动控制理论"中非线性部分教学改革与研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出了在非线性控制系统中利用MATLAB中的SIMULINK工具箱进行教学、试验的方法。该方法据弃了传统的相平面法和描述函数法的教学方法,便于学生的接受和理解,在教学中取得了良好的效果。 相似文献
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采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10~10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。 相似文献