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国内外PTA生产现状及国内发展前景 总被引:3,自引:1,他引:2
近10年内世界PTA供需基本平衡,我国PTA供需严重不足,2002年缺口仍达4.30Mt,我国PTA有较好的发展前景,但需朝着规模化、国产化发展。 相似文献
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以再生丝素甲酸溶液为纺丝液,在质量分数为9%时,研究电压、喷丝头到接收屏之间的距离(C-SD)对静电纺丝素纤维微细结构的影响。结果表明,在相同C-SD(10 cm)不同电压和相同电压(12 kV)不同C-SD的条件下,质量分数为9%的再生丝素甲酸溶液具有良好的静电可纺性。当C-SD为10 cm时,随电压的升高,静电纺丝素纤维的分子构象变化复杂,纤维的结晶度也呈无规律性变化;当电压为12 kV时,随C-SD的增加,静电纺丝素纤维内无规和α-螺旋构象的分子含量增加,纤维的结晶度呈现先略增大后大幅下降的趋势。 相似文献
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首先论述了粉煤灰陶粒混凝土的优点,之后通过对粉煤灰陶粒混凝土和普通混凝土的对比试验以及有限元分析的方法得出了如下结论:粉煤灰陶粒混凝土的抗震性能要优于普通混凝土,从抗震设防这一方面考虑,粉煤灰陶粒混凝土比普通混凝土有较好的社会、经济效益。 相似文献
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PECVD生长纳米硅薄膜的X射线衍射分析 总被引:3,自引:0,他引:3
等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°~5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰。借此方法,研究了本征膜和掺磷薄膜的硅晶体结构及掺磷浓度对硅晶粒大小和晶格微观畸变的影响。 相似文献
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芯片裂纹是半导体集成电路封装过程中最严重的缺陷之一。由于芯片裂纹最初发生在芯片的背面,而且有时要在高倍显微镜下才能观察到,所以这种缺陷在很多情况下不易被发现。文章主要介绍和探讨了IC封装过程中引起芯片裂纹的主要原因。划片刀速度、装片顶针位置/顶针高度和吸嘴压力、塑封框架不到位以及切筋打弯异常等都会引起芯片裂纹,从而在从IC焊接到PCB板或使用过程中出现严重的失效和可靠性质量问题。只有了解了导致芯片裂纹的各种因素,半导体集成电路封装厂商才能采取针对性的预防措施杜绝芯片裂纹这种致命的缺陷。 相似文献
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当前时代,随着高科技的不断发展更新,电厂气力输送技术发展的也越来越成熟。其中,新研发的气力输送技术也已越来越广泛的被应用到各地,但是该技术也存在一些问题和不足,首要的影响气力输送系统正常运行的就是堵塞和磨损问题。 相似文献
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将相变封装盒嵌入平房的火墙内,采用正常使用情况下的间歇性供热方式对火墙进行加热,利用TRM WD120温度测试系统和Testo875 2i红外热像仪对室内温度进行全程监控,研究相变封装盒的数量、盒中铜网的数量以及加热时间等因素对其储热调温效果的影响.结果表明:相变封装盒数量的增加和加热时间的延长均能使相变封装盒在加热阶段吸收的热量增加,防止室内温度过快上升.并且在加热停止后相变封装盒释放的热量增加,从而减缓室内温度降低的速率,延长了20℃以上温度平台的持续时间,提高了环境的舒适度和供暖效率,并提高温度上升的幅度. 相似文献
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根据核能工程需要,文中以磷酸盐、硅灰石粉等为原材料配制了耐热混凝土。对磷酸盐耐热混凝土的原材料选择、配合比设计、生产过程的质量控制等方面进行了探讨。 相似文献