锆钛酸钡二元陶瓷的制备及其介电性能

研究了不同Zr/Ti原子数比下锆钛酸钡二元陶瓷的晶格结构与介电性能。试样的制备采用传统的固相法,经1 300℃保温2.0 h获得烧结良好的陶瓷试样。试验结果显示:随着Ba(ZrxTi1-x)O3体系中Zr含量的增加,晶格常数a增加,晶体四方性降低,Zr的引入还抑制了离子空穴的生成,介质损耗因此降低;经XRD衍射分析表明,在Ba(ZrxTi1-x)O3化合物中x在0.25~0.35变化范围内,试样中存在立方顺电与四方铁电的准同相界。     

(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷电容器介质的制备与研究

报道了掺杂BaTiO3和CeO2对(Bi0.5Na0.5)TiO3材料介电性能的影响.运用所研究材料的一系列取代反应,对实验结果进行了解释,并由介电温谱(升温)分析了材料从室温到400℃的相变化.实验结果显示当材料中掺杂6%(原子分数)BaTiO3与0.5%(原子分数)CeO2时,试样于1160℃保温2h,获得了性能优良的介质材料,其介电系数和介质损耗分别为1620和1.80%;BaTiO3的加入能提高材料的介电性能,而CeO2的加入则使材料的损耗进一步降低并使介电峰展宽.     

Y2O3掺杂对钛酸铋钠介质材料介电性能的影响

研究了掺杂Y2O3对(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷材料介电性能的影响.实验结果表明当(Bi0.5N0.5)0.94Ba0.06TiO3中掺杂0.1%(原子分数)Y2O3时,试样在1140℃空气气氛下烧结2h,材料的介电性能有了较大幅度的提高,介电系数和介质损耗分别为1941和4.48%,介电性能在室温范围内的变化明显减小;由于Y2O3的加入,Y3+离子取代了部分Ti4+离子,材料的电畴结构遭到破坏,导致了Tc的前移,介电峰展宽,有效的改善了材料的介电性能.由介电温谱分析了材料从室温到400℃的相变过程,阐述了对钛酸铋钠陶瓷材料高温相变过程的新看法.     

掺杂CeO2和CuO对BaTiO3陶瓷介电性能的影响

研究了采用固相法在BaTiO3中掺杂CeO2和CuO对瓷料介电性能的影响.结果表明当CeO2含量为7%(原子分数)、CuO含量为0.5%(质量分数)时,试样在1260℃烧结2h,获得了性能优良的介质材料,瓷料的介电系数为2570,介质损耗为2.15%,绝缘电阻率为5.8×1011Ω·cm;CeO2的加入可以有效提高瓷料的介电系数,降低介质损耗,而CuO的引入会有效地降低瓷料的烧结温度,大幅度提高了瓷料的绝缘电阻率.     

溶胶–凝胶法制备BaTiO3薄膜的研究

以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在 Al2O3基片上制备了 BaTiO3薄膜。具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的 pH 值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响。并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节 BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础。