CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响

为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中Σ3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使晶粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变。     

化学气相沉积高纯钨的择优取向与性能研究

利用光学显微镜、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜的电子背散射衍射花样(electronic backscatter ring diffraction,EBSD),对用化学气相沉积制备的高纯钨进行了微观结构和晶面取向分析;利用霍普金森压杆系统和电子万能试验机测试了高纯钨的动态和准静态力学性能。研究表明：化学气相沉积高纯钨具有柱状晶组织,并且具有明显的(100)择优取向;动态屈服强度达到2000 MPa以上,静态屈服强度约为1350 MPa,具有应变速率敏感性     

化学气相沉积钨的组织与力学性能研究

用扫描电镜上的EBSD装置研究化学气相沉积法制备的高纯钨的晶体取向,化学气相沉积钨具有{110}〈001〉取向织构;用电子万能试验机和分离式霍普金森杆(SHPB)研究纯钨的准静态(10-3s-1)和动态(2000～5000s-1)压缩力学性能,并与等轴晶重熔钨进行对比分析,沉积钨的屈服强度由静态时的1350MPa上升到动态时的2000MPa以上,是应变率敏感材料,等轴晶纯钨的静动态屈服强度高于柱状晶沉积纯钨,柱状晶沉积纯钨有明显的应变硬化效应。沉积钨柱状晶组织的塑性变形方式除滑移外,还有大量的孪晶产生。     

钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究

采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.     

钨丝掺杂碳化硅的高速冲击力学性能研究

放电等离子烧结技术制备了钨丝掺杂碳化硅(Si C-W)和Si C材料。分离式霍普金森压杆系统对Si C-W和Si C进行高速冲击力学性能试验。实验表明,高速冲击下Si C-W产生5%的应变,最大强度到达1000 MPa。并通过扫描电子显微镜对Si C-W高速冲击后的断口组织进行了观察。     

冲击加载条件下化学气相沉积高纯钨的塑性变形机制

采用较低温度下的化学气相沉积技术制备了高纯钨，利用分离式HOPKINSON压杆装置对制备的高纯钨和商用粉末烧结纯钨进行应变率为1000／s～2000／s的冲击加载，对冲击后的样品进行了变形机制对比分析。结果表明：在冲击载荷作用下粉末烧结纯钨变形机制以滑移和品界滑动为主，析化学气相沉积纯钨则是孪生变形起到很大的作用：临近孪生间的交互作用会产生2种类型的穿晶断裂，这是化学气相沉积纯钨致脆的原因：在低于10^3／s应变率量级化学气相沉积纯钨不会发生绝热剪切，难以与钨合金一样通过绝热翦切变形提高其塑性变形能力。     

45钢水平支撑块的结构设计与有限元分析

文中根据翻转机构输送高温、大质量钢锭的实际需求,布置支撑块以减少热传导对机构的作用。针对45钢支撑块上安置隔热层后温度降至300℃左右,采用Gleeble1500测试其在300℃时的屈服强度,并采用Pro/E、ANSYS软件进行结构设计和受力分析,确定设计结构能够满足工作需求,并根据结果对结构进行了优化。     

大型筛网焊接机的研究设计计算

根据焊接筛网的结构和连续焊接的原理,确定了DSHJ1540大型筛网焊接机床的总体方案和基本工作原理,对焊接机床的主要技术参数进行设计计算,并阐述了设计对于大型筛网生产的具体意义。     

酸氧化掺金方法改善碳纳米管的电接触特性

采用硝酸回流方式在碳纳米管表面构造缺陷及含氧官能团,处理后的碳纳米管在氯金酸溶液中超声震荡,经过氢气热还原将氧化态的金还原为0价态的金.扫描电子显微图片及红外吸收光谱表明酸处理成功地在碳纳米管管壁及端部构造了缺陷及羟基、羧基等含氧亲水官能团.形貌表征表明在碳纳米管管壁尤其是端部成功地掺杂了纳米粒子,并且X射线光电子谱表明该纳米粒子是0价态的金.掺杂后碳纳米管的拉曼光谱中G带波数增大说明对碳纳米管掺杂金为P型掺杂.采用介电电泳法分别将碳纳米管原样与掺金碳纳米管样品组装到金电极之间,掺杂使碳纳米管与金电极之间的接触电阻得到明显的降低,电阻值平均降幅高达69.20%.