一种便携式超高频RFID读写器的设计

该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。     

基于PSP的MOSFET射频建模

基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度。     

单相交流参数测量仪设计

为了测量实验室中DC-AC逆变变频单相交流电参数,设计了基于MSP430F169单片机的单相交流参数测量仪.与采样、过零比较电路配合,利用单片机片内定时器测量频率和相位差;与采样、放大、精密整流和滤波电路配合,利用片内A/D转换器通过瞬时采样法测量电压、电流有效值并计算出视在功率、有功功率和无功功率.经原理样机验证可在LCM12864点阵显示器上显示出各参数测量值.     

我国新型农村社会养老保险可持续发展问题研究

实施新农保制度,从试点、完善到制度成熟,都还面临着不少困难和挑战。在当前,要贯彻保基本、广覆盖、保急需、促公平等基本要领,也要注重强化政府主导、完善体制、完善个人账户制度、加强政策配套、妥善解决新农保与其他社保政策的接续转移问题等战略重点。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。     

InP衬底上电容和电阻的建模

在射频集成电路中，Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好，从而证明该文提出的模型足以准确地描述Inp衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外，Inp和GaAs同属于Ⅲ-Ⅳ族化合物。它们具有相似的性质，因此，该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.     

一种有效的微波集成电路设计优化方法

给出一种基于正交设计的微波集成电路设计优化的方法，该方法采用多轮正交设计，通过模拟设计参数空间中有限组电路的频率响应，可在整个参数空间中对多个目标快速寻优。与传统方法相比，该方法不依赖初始值，能够较快地收敛到全局最优解。用微波宽带四级分布放大器设计算例表明该方法可用于电路设计优化，具有实用价值。     

梳齿的不平行对电容式微机械传感器阶跃信号响应的影响

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板的倾斜角变到0.5°时,对于单边电容结构、双边电容结构和有力反馈的双边电容结构,传感器能够承受的临界阶跃加速度分别变为电容极板完全平行时的0.34、0.44、0.52。并针对DRIE工艺刻蚀梳齿的原理,讨论了改进梳齿不平行的方法。     

超高频RFID高隔离度定向耦合器的设计

基于传统微带线定向耦合器的方向性和耦合性,利用端口阻抗的失配效应,设计出一种隔离度高、方向性好的改进型耦合器。测试结果表明,改进后定向耦合器的隔离度大大提高,在中心频率915MHz 处隔离度高达58.875dB,方向性约为45dB,能有效抑制载波泄漏到接收链路中,能很好地满足902MHz～928MHz 频段 RFID 阅读器收发隔离的需求。