BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

提高BaTiO3型协热敏电阻PTC效应的途径

本文根据晶界耗尽层模型, 分析了受主表面态浓度/ 0 、施主农度/ 。、表面态能 级尸二对? 型( ) ? 12 0 内瓷+ ? , 效应的影响, 提出“ 高且薄 ” 的晶界势垒形状在理论一五应具育 最大的+ ? , 效应, 并给出了在减少耗尽宽度0 。的同时提高势垒高度功。的理论依据! 最后, 讨论了在实际研制过程中得到最佳+ ? , 效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件, 并给出了实例     

分割电极片状压电致动器——(二)位移特性及狭缝宽度对其影响的实验研究

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明，分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出，但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的１０％时，可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在２０Ｖ～５０Ｖ的电压驱动下均可获得１μｍ～２μｍ的致动位移。对９８５０道／厘米的密度磁盘，该位移能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。     

钛酸钡基铁电材料的介电非线性研究

通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

等静压力诱导的PMN-PT单晶介电弛豫特性研究

研究了不同等静压力下的PMN-PT单晶的介电常数(εr)与温度(T)的关系,以及常温下介电常数(εr)及损耗(tanδ)与压力(p)之间的关系.发现了PMN-PT单晶在压力作用下出现明显的介电频率弥散现象.当等静压力增大到一定压力时,PMN-PT单晶的介电常数值迅速降低,介电频率弥散更加显著,且出现弛豫特性,介电损耗的弛豫特征更加明显.随着频率的增加,介电损耗峰对应的峰值压力向高压方向移动.其根本原因是压力诱导的介电-压力弛豫特性导致的.     

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。     

偏压下弛豫型铁电陶瓷有效介电系数稳定方法的研究

本研究利用调整有效介电常数的互补公式     

Bi2O3-ZnO-Nb2O3(BZN)系复相陶瓷的相转变

重新讨论了ＢＺＮ系（α＋ β） 复相陶瓷中α相与β相之间的相转变． 研究表明：ＢＺＮ系α相与β相是有一定固溶范围的三元化合物,α相的固溶范围受温度的影响较大,β相的固溶范围受温度的影响较小． 复相（α＋ β） 的相组成因此受温度的影响,随温度升高,α相的固溶范围变大,对β相的固溶度增加,复相中β相减少,α相增加． 随温度降低,α相的固溶范围变小,对β相的固溶度减小,β相从α相中脱溶,复相中α相减少,β相增加．     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。