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AlSiC电子封装材料及器件的关键指标是膨胀系数、热导率和气密性。不同工艺条件下制备的AlSiC电子封装材料物理性能相差较大。尽管已建立一些理论模型预测AlSiC电子封装材料的膨胀系数和热导率,但由于基体塑性变形、粘接剂类型及含量、粉末尺寸等许多因素影响,理论结果与实验结果相差较大。热循环过程中,基体合金类型、增强体尺寸、预处理方法和热循环次数等明显影响AlSiC电子封装材料的尺寸稳定性。温度循环对AlSiC电子封装材料物理性能的影响尚未见公开报道。 相似文献
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研究了颗粒种类、粘接剂含量和界面状态对颗粒增强铝基复合材料热导率的影响.制备了碳化硅和立方氮化硼两种颗粒及粘接剂添加量不同复合材料,并通过1 300 ℃下湿氧气氛氧化、氢氟酸酸洗及将复合材料在600 ℃时进行长时间热处理从而获得不同的界面状态.由于立方氮化硼颗粒本身的热导率高于碳化硅颗粒,尽管前者的体积分数高,但其复合材料的热导率仍高于后者.随着粘接剂添加量增多,复合材料的热导率逐渐降低.高温湿氧气氛处理后,碳化硅颗粒表面被氧化硅覆盖,制备的复合材料热导率明显降低;酸洗处理后,碳化硅颗粒中的杂质基本去除,制备的复合材料热导率得到提高.随着高温处理时间延长,复合材料的热导率先升高后降低. 相似文献
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本文对NICALON SiC束丝纤维增强Al预制丝的拉-拉疲劳行为(应力比R=0.1)进行了研究。结果表明,复合材料的疲劳性能比铝合金有明显提高,预制丝循环过程中,单丝纤维不断破断,导致材料最终破坏,600℃高温热暴露后,界面结合增强,预制丝的疲劳性能降低。 相似文献
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通过反应烧结成功地制得了in-situ SiC/MOSi_2复合材料,该复合材料的组织均匀致密,相对密度达97.8%,强化相SiC的粒径小于1μm,体积分数为19.8%.复合材料室温抗弯强度为542MPa,断裂韧性5.21MPa·m~(1/2),维氏硬度12.21 GPa;在1200℃和1400℃时的抗压强度为596MPa和175MPa,800℃时的维氏硬度为8.2 GPa.在Al_2O_3和SiC磨盘上表现出优异的耐磨性能。 相似文献