Na_2O－Al_2O_3－SiO_2系统霞石微晶玻璃机械强度的研究

霞石微晶玻璃是一种高强度的新型无机非金属材料．本文以Ｎａ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统为基础，引入晶核剂和复合澄清剂，经高温熔制和两步热处理制备的霞石微晶玻璃，具有较高的抗压和抗折强度．结果表明，霞石微晶玻璃的机械强度与霞石晶体及试样的结构有关，也与微晶化热处理的时间有关。     

AZS烧结砖的研制

以电熔ＡＺＳ废砖为主要原料．配以ＡＺＳ复合结合剂和锆英砂．研制的ＡＺＳ烧结砖具有较高的荷重软化温度和耐压强度，显气孔率低．抗玻璃液侵蚀能力强．是较好的电熔ＡＺＳ砖的替代材料。通过对ＡＺＳ烧结砖的性能测试．分析了试样的物相和结构对其性能的影响，同时讨论了ＡＺＳ复合结合剂和锆英砂加入量与试样性能的关系，得出了试样的最佳配方。     

基于模态技术和Q-U曲线的一种电压稳定性指标

结合电力系统自身的特点和要求,利用稳态运行情况下电力系统中的信息,采用模态分析技术和CPF法得出关键节点的Q-U曲线和临界电压.并在此基础上,利用一个新的电压稳定性指标(U/Ucr)2,来分析故障情况下系统的电压稳定性.用IEEE39母线系统进行了仿真计算,结果表明该方法计算速度快,准确性好,适用于在线电压稳定性分析.     

思茅松硫酸盐化学浆的氧脱木素和多段漂白机理的初步研究

在漂白前进行氧脱木素，能在降低废液污染负荷的同时，还可提高浆的白度，采用ＣＥ。ＨＰ程序，仍可使思茅松硫酸盐浆在试验条件下达到８５％（ＳＢＤ）的高白度水平。红外光谱分析表明，共轭羰基和非共轭羰基等发色基团的破坏和羧基羟基等助色基团的削弱，是提高纸浆白度的主要原因。     

基于非对称耦合综合优化算法的机器人无线充电技术应用

文章提出非对称耦合优化综合算法,通过多目标函数优化,基本不受低频磁场的影响,在变电站机器人巡检路线上设置无线充电点,满足机器人持续充电需要,续航能力对比原来无线充电技术提升至10倍以上,可对变电站巡检机器人进行实时充电并优化管理,降低机器人充电故障率并提高其利用率,发挥机器人替代运维人员部分工作,实现人机协同作业为电网安全提供保障,实现GIS智能变电站真正自主寻源和非对称无线充电的机器人巡检。采用非对称耦合无线方式充电,可以克服传统供电成本高、可靠性低等问题。     

大曲中产酯化酶菌株的分离鉴定及固体发酵工艺优化

为提高大曲中己酸乙酯含量,从汾酒大曲中分离得到1株高产己酸乙酯酯化酶的霉菌SXG-Z-6,结合形态学特征和分子鉴定方法对其进行鉴定,确定为黑曲霉。以酯化力为指标,对该菌株的固体发酵培养基和培养条件进行优化,得到最适培养基:以10 g麸皮为基质,添加1.5g玉米粉,2 g酵母粉,体积分数1%大豆油,0.2 g(NH4)2SO4和10 m L蒸馏水。最适培养条件为36℃恒温静置培养44 h,酯化力最高达到615.8 mg/d L,比优化前提高了35.7%。     

啤酒酵母和乳酸菌发酵棕榈粕渣饲料制备工艺的响应面优化

通过单因素实验和响应面法对啤酒酵母和乳酸菌发酵棕榈粕渣饲料制备工艺进行研究。结果表明:基料制备最佳发酵条件为发酵时间5 d、棕榈仁渣目数70目、菌料比1∶103、发酵温度30℃、含水量36%,该条件下基料中总菌落数为7.20×10~(10)个/g;发酵产物最佳发酵条件为发酵温度30℃、棕榈果渣与空果串配比1∶2、棕榈果渣及空果粉碎长度4 cm、配料比1∶10(基料与棕榈果渣和空果串质量比)、含水量35%、发酵时间36 d,该条件下发酵产物营养成分OD值为0.966。对发酵饲料主要成分进行分析,其粗蛋白、粗脂肪、粗纤维、粗灰分、钙、磷、含水量分别为7.20%、7.61%、26.20%、5.20%、0.38%、0.26%、16.20%,总菌落数为9.0×10~7个/g。该发酵方法工艺简单,具有良好的工业化生产前景。     

加氢裂化装置反应部分控制方案

从原料油缓冲罐压力、反应进料泵最小流量返回、高压分离器液位、冷高压分离器及新氢压缩机压力、循环氢压缩机防喘振和反应器温度等方面介绍了加氢裂化装置反应部分的主要控制方案。     

光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。     

转子一点接地保护双重化配置研究

提出了转子一点接地保护双重化配置方案,保护配置由注入直流转子一点接地保护和注入交流转子一点接地保护构成。这2套保护可同时配合使用,也可以独立使用。阐述了2套保护的基本原理和计算接地电阻的方法。对所提保护方案的进行测试,测试结果表明：对于注入交流转子一点接地保护而言,当接地位置位于励磁绕组中间时,接地电阻测量误差较小,一般情况下,励磁绕组电感对保护接地电阻测量的影响可以忽略不计;接地电阻小于1 kΩ时,直流回路对于接地电阻测量的影响不大;当接地电阻大于1 kΩ时,需考虑直流回路电阻对接地电阻的补偿;注入交流转子一点接地保护受励磁绕组对地电容的影响较大,当接地电容大于5 μF时,能准确测量小接地电阻;但是当接地电阻大于10 kΩ时,受保护装置AD分辨率影响,测量电阻不稳定,波动较大。可见,注入交流转子保护对小电阻接地的测量相对更为精确;注入直流转子保护对大电阻接地的测量更为稳定。