三维Y(OH)3@Ni(OH)2/CC复合材料的制备及其作为柔性超级电容器电极性能的研究

以碳布(CC)为基底,采用化学沉积、恒电位极化及电化学沉积法制备出Ni(OH)₂/CC复合材料和Y(OH)₃@Ni(OH)₂碳纤维复合材料(Y(OH)₃@Ni(OH)₂/CC)。以X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等测试研究样品的结构、表面形貌和化学组成;利用电化学工作站的循环伏安(CV)、交流阻抗(EIS)等技术对样品的电化学性能进行研究。实验结果表明,该复合材料经恒电流50 mA/cm²充放电测试,其面积比电容为1 017 mF/cm²,CV循环1 000圈其面积比电容相对于初始面积比电容的保持率为167%。     

基于碳布复合三维阵列VOx纳米片的构筑及其电容性能的研究

以柔性碳布(CC)作为基底,通过水热法制备VO_x/CC纳米材料。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、循环伏安法(CV)、恒电流充放电法(GCD)和电化学交流阻抗法(EIS)等表征手段和电化学测试技术对材料的形貌、组成和电容性能进行分析。实验结果表明,当电流密度为10mA/cm²时,纳米片状VO_x/CC电极仍保持531.5mF/cm²较高的面积比电容。交流阻抗测试表明溶液阻抗与传荷阻抗都明显减小,说明VO_x具有良好的导电性并有利于传质扩散。     

柔性CeS/CuCo2O4/CC三维阵列材料的制备及其电容性能的研究

利用水热法在柔性碳纤维布（CC）基底上制备钴酸铜;在此基础上,利用连续离子吸附反应法负载CeS,得到纳米棒状的CeS/CuCo₂O₄/CC复合材料。借助扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、循环伏安（CV）、恒电流充放电（GCD）和电化学阻抗谱（EIS）等对材料的形貌、组成、电容性能等进行了表征和测试。实验结果表明,在5 mV/s的扫速下,其面积比电容可高达2151 mF/cm²,1000次循环充放电后,其电容保持率可达90%,说明该纳米复合材料具有较好的储能性能。     

NiCo2O4/CC纳米复合材料的制备及其作为无酶型葡萄糖传感器的研究

以碳布作为基底模板,利用水热法制备得到纳米针状的NiCo2O4/CC.利用场发射电子显微镜和X射线衍射仪分别对其介观形貌和物相组成进行了研究.借助各种电化学技术对该材料电催化葡萄糖的性能进行了综合评价.实验结果表明,电催化葡萄糖的氧化峰电位在+0.45V,线性检测上限可高达10.4mM,并具有良好的抗干扰能力.     

三维柔性碳纤维纳米复合材料的制备及其电容性能研究

利用水热法在碳纤维布基底上负载V_2O_5纳米线阵列构筑三维结构的纳米复合材料,以其作为超级电容器的正极材料。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)对V_2O_5样品的形貌、组成和电化学性能进行测试表征。实验结果表明纳米复合材料的比表面积大幅度提升,增加了电子和离子间传递效率,对改善材料电化学性能有良好作用。     

Ni（OH）2/FTO纳米片阵列的制备及其对葡萄糖电催化性能的研究

以FTO导电玻璃作为基底,利用水热法制备得到氢氧化镍纳米片阵列。通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）研究该材料的介观形貌和材料晶型。利用循环伏安、计时电流和交流阻抗等电化学方法对葡萄糖的电催化性能进行测试。实验结果表明Ni（OH）₂纳米片阵列电极在+0.65 V出现明显的氧化峰,检测上限为0.9 mmol/L,灵敏度为0.6 mA/cm²/（mmol/L）,说明该材料具有较强的电催化性能,同时具有响应速度快的特点。     

柔性PANI@LiV3O8/CC纳米复合材料的制备及其作为超级电容器性能的研究

采用水热法在柔性碳布(CC)基底上负载钒酸锂(LiV3 O8/CC),然后以电化学聚合法对材料进行包覆,成功制备了柔性三维聚苯胺包覆钒酸锂复合材料(PANI@LiV3O8/CC).利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线能谱仪(XPS)、循环伏安(CV)对PANI@LiV3O8/CC...     

NiO@Ni/TNTs纳米复合材料的制备及其对 葡萄糖电催化性能的研究

采用阳极氧化法在Ti片基底制备Ti O_2纳米管阵列,再以脉冲电化学沉积法对纳米管阵列进行功能化修饰Ni O颗粒,得到Ni O@Ni/TNTs纳米复合材料。利用场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究该复合材料的形貌和晶体结构。Ni O@Ni/TNTs纳米复合材料对葡萄糖进行测试,循环伏安结果表明,氧化峰电位在+0. 58 V左右,证明其对葡萄糖具有较好的电催化性能。同时,抗干扰性、稳定性和重现性实验也表明该材料对葡萄糖的测试具有很好的选择性、稳定性和重现性,是一种较为理想的无酶型葡萄糖电化学传感器。     

g-C3N4/Bi2O3复合材料的制备及其光催化降解性能的研究

采用固相合成法成功制备了g-C_3N_4/Bi_2O_3复合光催化剂。利用场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究该复合材料的形貌和晶体结构。紫外可见漫反射结果表明,与g-C_3N_4和Bi_2O_3相比,g-C_3N_4/Bi_2O_3半导体的能带间隙变小,可以拓宽光谱响应范围,同时提高复合物中光生载流子的分离和迁移效率。复合材料的光催化降解反应速率常数比g-C_3N_4和Bi_2O_3分别提高了2. 1和3. 9倍,光生电子-空穴对的复合得到有效的抑制。