从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

微乳液萃取分离镍和钻的研究

对曲拉通X-100、正丁醇、正庚烷、水、P204、NaOH微乳液体系进行萃取分离钴和镍的研究。确定了萃取分离钴和镍的最佳工艺条件,在此条件下,钴的萃取率高达87．4％,而钴只有10．87％,镍钴离子浓度的最佳分离范围为1：2．5—1：4,镍和钴的分离效果令人满意。     

深度信念网络在故障指示器检测中的应用

电子产品在生产过程中需进行产品检测,以故障指示器的检测为例,结合深度信念网络(DBN)技术实现了自动检测.深度信念网络由于其具有无监督预训练的优势,将其应用于实际系统,对现场的故障指示器视频图像的动作状态进行了分类实验.实验结果表明:深度信念网络分类算法相比于支持向量机(SVM)分类算法和BP分类算法有明显的优势,正确识别率达到了100％.该算法在产品检验的应用中满足生产测试的要求,且降低了人工测试的劳动强度,缓解了视觉疲劳问题.     

鸡冠花红褪色光度法测定羟自由基

研究了以食用色素-鸡冠花红为指示,氧化褪色光度法测定Fenton反应产生的羟自由基.在硫酸介质中,羟自由基能够氧化鸡冠花红褪色,在520nm波长处测定吸光度值的变化,可间接测定羟自由基的量.该法所用仪器简单,试剂廉价易得,操作简便,稳定性好,可作为一种筛选羟自由基清除剂的方法.     

水中N,N-二甲基甲酰胺的流动注射-化学发光法测定

建立了流动注射-化学发光法测定N,N-二甲基甲酰胺(DMF)的新方法。在酸性条件下,高锰酸钾氧化亚硫酸钠产生化学发光,DMF对该体系的发光强度具有增强作用,化学发光的强度与DMF的质量浓度在0.8~100.0mg/L范围内呈良好的线性关系。在优化的实验条件下,用流动注射-化学发光法测定DMF,检出限为0.418mg/L;对55.0mg/L DM F进行连续11次平行测定,相对标准偏差(RSD)为1.30%;该方法用于水体中DMF含量的测定,加标回收率在96%~104%之间,结果令人满意。通过对化学发光动力学曲线及紫外吸收光谱的分析,探讨了发光机理。     

植物乳杆菌HCS03-001安全性评价及其益生特性分析

为了对植物乳杆菌HCS03-001(CGMCC No.16258)进行安全性评价以及益生特性的研究,通过溶血实验、耐药实验及急性经口毒性实验评价其安全性,通过对酸环境及胆盐环境的耐受性实验、抑菌功能特性实验及通便功效试验评价该菌株的益生特性.结果表明,植物乳杆菌HCS03-001在哥伦比亚血琼脂培养基上无透明圈形成,即...     

3G网络基站电磁环境影响分析

通过资料收集、理论预测、数据监测与分析,讨论了辽宁某市3G网络基站中典型基站的电磁环境。结果表明,理论预测与实际监测结果差距不大,各典型基站的电磁辐射功率密度均低于国家标准限值8μW/cm2,对该地区的电磁环境影响不大。对保护环境提出了相应的对策措施.     

浅析影响电能质量的因素及对策

在现代供配电系统中,用户关心的不再是连续供电问题,更多的是关心电能质量问题。在工业领域最常见的电能质量问题是电压暂降和电压谐波问题。造成电压暂降的原因有很多,有自然因素,也有人为因素。电压谐波也会恶化电能质量指标,降低电网可靠性,增加电网损失,缩短电气设备的寿命等。电能质量问题我们应该因地制宜,对症下药,在深入调研、现场实测、试验研究的基础上,运用电力新技术对电能质量进行系统化地综合补偿。     

轻量级开放式移动Agent系统：原理与实现

移动agent计算模式是一种灵活的基于Internet的分布式计算模式，但是“黑盒”式的设计和“单体”结构使得既有移动agent系统过于冗余，且不能随着用户需求和计算环境的变化动态修改系统的结构和行为。因此提出利用反射技术将移动agent系统“构件化”使其能够支持系统的“可定制”或“可裁剪”，并采用开放式的实现为移动agent系统的使用者提供扩展系统的能力。反射架构下的移动agent系统能够在运行时刻无需关闭系统动态加载或卸载特定模块；通过移动agent和底层平台的反射特性能自然地实现agent和agent平台的自适应。遵循这个途径开发了具有反射特性的Artemis-Mogent原型系统，并通过试验示范了新系统应用反射后的效果。     

宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管（TFT）的沟道层，用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层，在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底，通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜，并通过光刻、电极工艺等，研制了透明的ZnO基TFT, TFT的电流开关比达到1E4，场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为1E-8A.