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针对传统智能家居系统系统安装和维护成本高,系统可扩展性和移动性能差的问题,提出利用ZigBee无线技术和家庭服务机器人的机动性、自律能力来实现智能家居系统。为实现室内近距离对家庭服务机器人和家电设备的控制,为其设计基于ZigBee无线通信技术的语音遥控器。该遥控器通过ZigBee和语音识别技术的应用,不仅可以用于控制家庭机器人的前进、后退等,还可以用于控制具有ZigBee无线通信模块的家电设备,具有一定的通用性。 相似文献
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张银珠 叶志镇 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉 Zhang Yinzhu Ye Zhizhen Lü Jianguo He Haiping Gu Xiuquan Zhao Binghui 《半导体学报》2007,28(Z1):322-325
采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性. 相似文献
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度 相似文献
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