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对沉淀法合成的p区金属氧化物Ga2O3和Sb2O3紫外光光催化降解盐酸四环素的性能进行了研究,讨论了制备条件对光催化性能的影响。最佳制备条件下得到的Ga2O3-900和Sb2O3-500样品光催化性能存在巨大差异,通过X射线粉末衍射、傅里叶红外光谱、N2吸附-脱附测试、荧光光谱、拉曼光谱、电化学分析及活性物种捕获实验等对样品进行分析,研究二者光催化降解盐酸四环素的机理,揭示影响光催化性能差异的本质因素。结果表明,Ga2O3和Sb2O3光催化性能差异主要归结于二者不同的电子和晶体结构、表面所含羟基数量及光催化降解机理。 相似文献
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对沉淀法合成的p区金属氧化物Ga2O3和Sb2O3紫外光光催化降解盐酸四环素的性能进行了研究,讨论了制备条件对光催化性能的影响。最佳制备条件下得到的Ga2O3-900和Sb2O3-500样品光催化性能存在巨大差异,通过X射线粉末衍射、傅里叶红外光谱、N2吸附-脱附测试、荧光光谱、拉曼光谱、电化学分析及活性物种捕获实验等对样品进行分析,研究二者光催化降解盐酸四环素的机理,揭示影响光催化性能差异的本质因素。结果表明,Ga2O3和Sb2O3光催化性能差异主要归结于二者不同的电子和晶体结构、表面所含羟基数量及光催化降解机理。 相似文献
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