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针对分光光度法测定游离总硅含量受干扰因素多、测试数据不稳定的缺点,探讨了采用ICP-AES法测定碳化硅中游离总硅含量。采用行星球磨仪对碳化硅样品进行研磨,以硝酸钠、硝酸、氢氟酸作溶剂,采用微波消解法处理样品。选择212.412nm特征谱线并以其强度U)与对应的硅浓度(c)建立校准曲线,硅的质量浓度在10-100μg/mL范围内与特征谱线强度呈良好的线性关系,线性方程为I=233.76c+86.94,线性相关系数间.997,检出限为0.027μg/mL。测定结果的相对标准偏差为1.35%~2.79%(n=6)。加标回收率为97.6%~108.0%。该法测定碳化硅中游离总硅含量是可行的。 相似文献
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随着x的增加,多晶La0.6-xGdxSr1.4MnO4(x=0, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6)的零场冷却 曲线从类自旋玻璃型转变成顺磁型,并且每条零场冷却 曲线都有一在20K的拐点。这一行为可以从Gd和Mn各自对材料总磁性的不同贡献来理解。另外,在所有的样品中,从100K到室温,都观察到了热激活导电行为。由于Mn-Mn间强的反铁磁耦和,直到外场达到50 kOe,都没有观察到明显的磁电阻效应。 相似文献
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采用传统的高温固相烧结法制备了双层钙钛矿锰氧化物(La1-xGdx)4/3Sr5/3Mn2 O7 (x=0, 0.025)多晶样品. 通过X射线衍射仪研究发现样品为Sr3Ti2O7型四方结构, 空间群为I4/mmm; 磁性测量表明, Gd3+掺杂后的样品(La0.975Gd0.025)4/3Sr5/3Mn2O7的三维磁有序转变温度(TC13D)、磁化强度(M)均降低, 这是由于Gd3+的掺杂引起晶格的畸变, 从而使得晶格常数发生改变, 减弱了铁磁耦合而导致的; 通过电子自旋共振谱测量发现, 在TC3D<T<300 K温度范围内, 两样品在顺磁的基体上均有短程的铁磁团簇存在, 出现了相分离现象. 电性测量表明: 两样品分别在TC13D (La4/3Sr5/3Mn2O7 样品的三维磁有序转变温度, TC03D)<T<300 K温度范围内均以三维变程跳跃的方式导电, 分析得出Gd3+的掺杂使得载流子局域长度的减小. 这表明载流子需要吸收更多的能量才能克服晶格的束缚进行跳跃, 因此(La0.975Gd0.025)4/3Sr5/3Mn2 O7 样品的电阻较高. 相似文献
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用从头算方法的MP2和CCSD(T)方法结合cc-pVTZ基组计算了二氯化锗同位素(70GeCl2、72GeCl2和76GeCl2)分子的平衡结构、光谱常数和非谐振力场.二氯化锗的几何结构、转动常数、振转相互作用常数、谐频、非谐振常数、四次和六次离心畸变常数、三次和四次力常数的计算结果与实验结果符合较好,二氯化锗分子的同位素效应较小,可能的原因是Ge同位素的质量变化相对较小.两种方法计算的结果均与实验结果符合,但CCSD(T)方法比MP2计算结果的偏差稍大一些,可能的原因是CCSD(T)方法在描述过共价Cl原子的电子相关时不够充分. 相似文献
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The magnetic and electrical properties of nonmagnetic Ga +3 ion substitution for Mn site are investigated in the bilayer manganite La 1.2 Sr 1.8 Mn 2 O 7.When the Mn is substituted by Ga,the ferromagnetic property obviously weakens,the magnetic transition temperature decreases and a spin-glass behaviour occurs at low temperature.Meanwhile,doping causes the resistivity to dramatically increase,the metal-insulator transition temperature to disappear,and a greater magneto-resistance effect to occur at low temperature.These effects result from the fact that Ga substitution dilutes the magnetic active Mn-O-Mn network and weakens the double exchange interaction,and further suppresses ferromagnetic ordering and metallic conduction. 相似文献
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对液晶新性能的研究是当前的研究热点。通过非线性数值拟合研究掺杂纳米稀土氧化物Nd2O3聚合物分散液晶(PDLC)在实验给定驱动电压范围20 V~30 V以及在紫外335 nm~375 nm范围内的透射率,给出了符合此实验数据的函数关系,即为一个正弦函数之和的形式。拟合结果中最小相关系数(R)为0.999 8,最大均方误差(RMSE)为0.057。另一方面,通过对吸收带峰值的位置和趋势随着驱动电压的变化进行数学拟合,得到2个数学函数,函数关系为二次多项式的形式。拟合结果的和方差(SSE)分别为1.292e-026和3.944e-030,相关系数均为1。拟合结果表明:数学拟合结果和实验数据接近吻合,能够为进一步研究掺杂纳米Nd2O3聚合物分散液晶(PDLC)在20 V~30 V驱动电压下的紫外电光特性提供一定的理论依据。 相似文献
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