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1.
2.
TCDD的密度泛函理论研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用B3LYP/6-311G~(**)方法全优经计算22个四氯二苯并对二(左口右恶)英( 简称TCDD)分子,得到几何构型、总能量、标准熵、标准焓和标准自由能。将2, 3,7,8-TCDD的计算构型与X射线衍射实验测定值进行了比较。计算结果表明,总 能量、标准焓和标准自由能与氯原子量换位置的相关性很高(r > 0.997).1,3,6, 8-TCDD的总能量处自由能最低,即最稳定,以此参照,得到异构体的总能量的相对 稳定性顺序和自由能的相对稳定性顺序。1,3,7,9-TCDD的稳定性次之,1,3,7,8- TCDD居第三,将这二个顺序与焚烧炉产生的TCDD异构体和合成的异构体对的生成面 分比进行了比较,说明焚烧炉中产生的TCDD和合成的TCDD对的分布主要受热力学控 制。 相似文献
3.
囊泡表面分子间通讯交流体系的构建: 利用受体的分子识别行为调控酶的活性 总被引:1,自引:0,他引:1
在人工双层膜囊泡表面, 构建了一个通过人工受体的分子识别行为控制酶反应活性的超分子体系. 体系以生物体细胞信号转导系统为模拟原型, 由作为受体的烷基胺、被受体识别的信号分子吡哆醛衍生物、乳酸脱氢酶、受体和酶之间的媒介物Cu2+以及作为体系载体的合成肽脂囊泡五个成分构成.通过UV-vis光谱法及动态光散射测定对体系进行了评价, 结果表明: 随着受体疏水参数增大, 其对信号分子的识别能力增强, 二者呈良好的线性关系; 通过信号分子与囊泡表面静电相互作用的研究表明信号分子具有选择性; 媒介物与信号分子–受体可形成化学计量比为1∶2的配合物, 其形成能力比媒介物与酶的结合能力更强.作为结论, 体系中烷基胺受体对磷酸吡哆醛信号分子的识别有效控制了处于囊泡表面的乳酸脱氢酶的活性. 相似文献
4.
5.
铀(Ⅵ)的二溴水杨醛缩二胺类双希夫碱及溶剂三元配合物的合成和表征 总被引:1,自引:0,他引:1
Nine new complexes [UO2(Dbsal-o-Phdn)L][UO2(Dbsalen)L] and [UO2(Dbsalpn)L] [Dbsal-o-PhdnH 2=N,N′-o-phenylenebis-(3,5-dibromosalicylideneimine), DbsalenH2=N,N′-ethylenebis (3,5-dibromosalicylideneimine), DbsalpnH2=N,N′-1,2-propanylenebis (3,5-dibromosalicylideneimine), L=MeOH, EtOH, py] have been synthesized and characterized by elemental analysis, IR, UV, TG-DTA and molar conductance analysis. These complexes are proposed to have seven coordinate environment. 相似文献
6.
7.
Electronic band structure of a type-II ’W’ quantum well calculated by an eight-band k·p model 下载免费PDF全文
In this paper, we present an investigation of type-II 'W' quantum wells for the InAs/Ga1-xInxSb/AlSb family, where 'W' denotes the conduction profile of the material. We focus our attention on using the eight-band k?p model to calculate the band structures within the framework of finite element method. For the sake of clarity, the simulation in this paper is simplified and based on only one period---AlSb/InAs/Ga1-xInxSb/InAs/AlSb. The obtained numerical results include the energy levels and wavefunctions of carriers. We discuss the variations of the electronic properties by changing several important parameters, such as the thickness of either InAs or Ga1-xInxSb layer and the alloy composition in Ga1-xInxSb separately. In the last part, in order to compare the eight-band k?p model, we recalculate the conduction bands of the 'W' structure using the one-band k?p model and then discuss the difference between the two results, showing that conduction bands are strongly coupled with valence bands in the narrow band gap structure. The in-plane energy dispersions, which illustrate the suppression of the Auger recombination process, are also obtained. 相似文献
8.
在用阿特武德機作實驗時,自銅錘被釋放開始(即自原上平台開始),至遊码落於中平台(即原帶孔平台)為止,是銅錘的有效行程(驗證速度定律時應以下平台為終點),但由於慣性的關係,銅錘至此不能立即停止,而恆以相當大的速度繼續下落,直至與下平台發生强烈的衝擊後始得蚔?這樣試驗起來極感不便,而且非常混亂,設若以鉗夾式釋放器代替原來的平台式釋放器,使銅錘的釋放和停止都受釋放裝置的控制,這樣原來的混亂现象即可完全避 相似文献
9.
10.