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采用NiCl2催化的Yamamoto缩聚反应将不同比例的含噻吩单体与间苯单体共聚,合成了聚(5-(2-乙基己氧基)-1,3-苯撑-co-(2,5-二苯撑-4-基-噻吩))(PmP-DPT),并测试了4种不同比例共聚物的紫外-可见光吸收光谱,光致发光光谱和LED器件的电致发光光谱,系统地表征了共聚物的光电性能。结果表明,噻吩的加入形成了新的发光中心,实现了从间苯链段到含噻吩发光中心的有效能量转移,当噻吩摩尔分数约为1%时,可得到效率为0.47%的色坐标(CIE)为0.17和0.13的蓝光PLED器件。当噻吩摩尔分数为10%时,可得到效率为2.59%的色坐标(CIE)为(0.21,0.36)的蓝绿光PLED器件。 相似文献
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含噻吩单元的硅芴共聚物的合成及其蓝色电致发光性能 总被引:1,自引:0,他引:1
将少量(摩尔分数为1%—3%)含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚, 合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-甲基苯撑-4-基)-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-苯撑-4-基)-噻吩]}两类硅芴共聚物, 通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱, 并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段, 系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能. 实验结果表明, 噻吩的加入形成了新的蓝色发光中心, 并且实现了从硅芴链段到含噻吩发光中心的有效能量转移. 通过增加发光中心结构的空间位阻来减小其共轭程度, 可以使聚合物的PL和EL光谱发生较大蓝移. 最终得到了效率为0.46%和色坐标(CIE)为(0.19, 0.16)的蓝光LED器件. 相似文献
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对基于9, 9-二辛基取代芴与4, 7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑(SeBT)的共聚物(PFSeBT)的光伏电池,着重研究了阴极与共混比例对器件性能的影响,研究表明,当共混比例为PFSeBT: PCBM=1:2、并且采用LiF/Al做阴极时,器件的性能最优:开路电压1.00 V,为短路电流密度为4.42 mA/cm2,能量转换效率为1.67% (AM1.5,100 mW/cm2),短路电流密度与入射光强间存在幂指数关系,幂指数为0.887,所有器件的光敏响应延均展至680 nm以上。上述研究结果表明,PFSeBT是一种非常有希望的聚合物光伏电池电子给体相材料。 相似文献
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研究了对向靶反应溅射法制备的CoN/CN软X射线多层膜的结构稳定性。研究表明,通过掺杂N原子可以将Co/C软X射线多层膜的结构稳定性提高100~200℃.400℃温度下退火,CoN/CN多层膜的周期膨胀仅为4%,700℃时周期结构仍然存在.N掺杂可以有效抑制CN层中sp3键的形成,延迟层内结晶过程,进而减小了周期膨胀.Co-N和C-N间存在的强化学键可以减小结构弛豫.填隙N原子增大了Co原子运动的粘滞性,使hcp-Co和fcc-Co在相变温度以上共存,抑制了高温下晶粒长大. 相似文献
6.
从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.
关键词:
聚合物发光二极管
聚合物/电极界面
CsF/Al阴极
电子注入 相似文献
7.
研究了低温退火Co/C软X射线多层膜中掠入射反射率的增强现象.通过测量一级调制峰强度随退火温度和时间的变化,测得了低至-10-25m2s-1的有效扩散系数.由于所研究的Co/C多层膜的调制波长远大于Co-C系统的扩散临界波长,有效扩散系数近似等于真实宏观扩散系数.负的宏观扩散系数表明,在Co-C系统中有相分离的趋势.这一结果可解释为由Miedema宏观原子模型计算得到的正的Co-C系统的混合焓.高退火温度下反射率的降低是界面锐化与界面粗糙化
关键词: 相似文献
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