Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

相干叠加态高次谐波发射的时间行为分析

本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论.     

Dynamic Mechanism of Sustainable Molecular Orientation Generated From Cyclic Rotational States

Recently, two papers presented by Ortigoso et al. [Phys. Rev. Lett. 93 （2004） 073001 and Phys. Rev. A 72 （2005） 053401] develop a novel strategy in which the best sustainable molecular alignment/orientation has been achieved. We intend to analyse the dynamic mechanisms, including those Ortigoso et al. have not clarified.     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

健康促进对学龄前儿童铅中毒预防和控制的研究进展

综述了国内外学龄前儿童铅中毒的危害和防治现状,针对目前健康教育对降低铅暴露有效性的研究结果并不理想,而且部分研究尚存在设计缺陷的情形,提出了健康促进对学龄前儿童预防和控制铅中毒的必要性和科学根据。     

YPxV1—xO4（0≤x≤1）：Dy^3＋的合成及其光谱性质的研究

本文报道了不同组成的ＹＰｘＶ１－ｘＯ４（０≤ｘ≤１）：Ｄｙ＾３＋的合成和结构。ＹＰｘＶ１－ｘＯ４（０≤ｘ≤１）为四方晶系，晶胞参数随ｘ的增大呈线性减小。基质的Ｓｔｏｋｅｓ位移随ｘ的增大逐渐变大，而激发光谱峰值则向短波方向移动。在ＹＰｘＶ１－ｘＯ４：０．００６Ｄｙ＾３＋体系中，ｘ＞０．４时出现的基质发射是由ＰＯ＾３－４引起的。基质及Ｄｙ＾３＋的发光效率和Ｄｙ＾３＋的发光强度的黄蓝比均与ｘ有关。同时探     

酒中和空气中氰化物的荧光测定

对于酒中和空气中痕量氰化物的测定、化学分析法和离子选择电极法都不甚理想,我们用M-850型荧光分光光度计,对这些样品中的痕量氰化物的荧光测定法作了探讨。在λ_(Ex)484nm/λ_(Em)514nm的条件下,在铜离子的存在下,利用无色荧光素的还原氧化反应测氰化物。最低检出限为0.5ppb,最佳线性范围是0.8—600ppb,相对标准偏差是10.8％,工作曲线的相关系数是0.999。酒中氰化物测定的平均回收率为