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光生电子-空穴对的复合被认为是限制BiVO4材料光电催化转换效率的重要原因之一。基于此,通过简单的水热-煅烧方法构筑了 BiVO4/ZnFe2O4同型异质结光阳极,BiVO4/ZnFe2O4复合光阳极在 1.23 V(vs RHE)下的光电流密度为 3.33 mA·cm-2,较纯BiVO4提升了2倍 (1.20 mA·cm-2)。相关的结构及性能测试表明,BiVO4和ZnFe2O4形成了带隙错开的n-n异质结,使得光生载流子得到有效分离,更有效地参与水氧化过程,进而提高了BiVO4的光电催化水分解性能。 相似文献
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光生电子-空穴对的复合被认为是限制BiVO4材料光电催化转换效率的重要原因之一。基于此,通过简单的水热-煅烧方法构筑了BiVO4/ZnFe2O4同型异质结光阳极,BiVO4/ZnFe2O4复合光阳极在1.23 V(vs RHE)下的光电流密度为3.33 mA·cm-2,较纯BiVO4提升了2倍(1.20 mA·cm-2)。相关的结构及性能测试表明,BiVO4和ZnFe2O4形成了带隙错开的n-n异质结,使得光生载流子得到有效分离,更有效地参与水氧化过程,进而提高了BiVO4的光电催化水分解性能。 相似文献
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